[发明专利]探测器背板及其制作方法、X射线平板探测器、摄像系统有效
| 申请号: | 201510338446.X | 申请日: | 2015-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN104979367B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
| 发明(设计)人: | 舒适;何晓龙;徐威;崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张润 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 探测器 背板 及其 制作方法 射线 平板 摄像 系统 | ||
1.一种探测器背板,包括基底以及形成在所述基底上的开关单元阵列、第一电极图形和第二电极图形,所述第一电极图形中的各个第一电极与所述开关单元阵列中的一个开关单元对应相连,并与所述第二电极图形中的第二电极构成存储电容,其特征在于,各个第一电极朝向光电转换层的一面为漫反射面,
其中,
所述光电转换层产生的电荷被存储到所述第一电极上,当所述开关单元打开时,所述电荷通过所述开关单元流出;
所述开关单元为薄膜晶体管,所述第二电极与所述薄膜晶体管中的栅极同层设置。
2.如权利要求1所述的背板,其特征在于,还包括形成在所述开关单元阵列背离所述基底一面上的介电层图形,所述介电层图形具有过孔,所述第一电极图形的第一电极通过所述过孔与所述开关单元阵列中的开关单元相连;
所述介电层图形朝向所述第一电极图形的一面为非平坦面;所述第一电极图形沉积在所述介电层图形的非平坦面上,形成朝向所述光电转换层的漫反射面。
3.如权利要求2所述的背板,其特征在于,所述介电层图形包括有机绝缘层图形和形成在所述有机绝缘层图形与所述第一电极图形之间的钝化层图形,所述钝化层图形朝向所述第一电极的一面为非平坦面。
4.如权利要求1所述的背板,其特征在于,所述第一电极图形的材质为金属。
5.如权利要求1-4任一项所述的背板,其特征在于,还包括:光电转换层和第三电极层,所述第三电极层形成在所述第一电极层背离所述基底的方向上,所述光电转换层形成在所述第一电极图形和第三电极层之间。
6.一种探测器背板的制作方法,其特征在于,包括:
在基底上形成开关单元阵列、第一电极图形和第二电极图形,所述第一电极图形中的各个第一电极与所述开关单元阵列中的一个开关单元对应相连,并与所述第二电极图形中的第二电极构成存储电容,且各个第一电极朝向光电转换层的一面为漫反射面,
其中,
所述光电转换层产生的电荷被存储到所述第一电极上,当所述开关单元打开时,所述电荷通过所述开关单元流出;
所述开关单元为薄膜晶体管,所述第二电极与所述薄膜晶体管中的栅极同层设置。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述开关单元阵列背离所述基底一面上形成介电层图形,所述介电层图形具有过孔,所述第一电极图形的第一电极通过所述过孔与所述开关单元阵列中的开关单元相连;且所述介电层图形背离所述基底的一面为非平坦面;
形成第一电极图形的步骤包括:
在所述介电层图形背离所述基底的一面上沉积第一电极材料,并进行图案化工艺形成第一电极图形。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述开关单元阵列背离所述基底一面上形成介电层图形包括:
在所述开关单元阵列背离所述基底一面上依次沉积有机绝缘材料层和钝化材料层;
涂覆光刻胶并进行图案化,形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域;
使用第一刻蚀气体干法刻蚀掉光刻胶保留区域的部分厚度的光刻胶以及光刻胶去除区域的钝化层材料,在所述钝化材料层中形成对应于所述光刻胶去除区域的过孔;
使用第二刻蚀气体刻蚀掉光刻胶保留区域的剩余光刻胶得到背离所述基底的一面为非平坦面的钝化层图形,并刻蚀掉光刻胶去除区域的有机绝缘材料,形成具有过孔的有机绝缘层图形。
9.一种X射线平板探测器,其特征在于,包括权利要求1至5任一项所述的探测器背板和X射线转换层。
10.一种摄像系统,其特征在于,包括如权利要求9所述的X射线平板探测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





