[发明专利]有机发光二极管基板及其制备方法有效
申请号: | 201510275095.2 | 申请日: | 2015-05-26 |
公开(公告)号: | CN104992958B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 宋莹莹;孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机发光二极管基板,包括显示区和位于显示区外的边缘区,显示区中设有由油墨层固化形成的有机膜层,边缘区包括有机膜层的暴露区,特征在于,所述有机发光二极管基板还包括:
遮挡结构,其位于所述有机膜层所在层下方且仅位于边缘区中,并用于阻止油墨层与暴露区的表面接触。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管基板,其特征在于,
所述暴露区中设有第一导电层;
所述遮挡结构位于所述第一导电层所在层上方;
所述暴露区中还设有位于所述有机膜层所在层上方的第二导电层,所述暴露区中的第一导电层与第二导电层至少部分接触。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管基板,其特征在于,还包括设于显示区中的有机发光二极管,所述有机发光二极管包括阳极、有机膜层、阴极;
所述暴露区包括阴极接触区;
所述阴极接触区中的第一导电层与所述阳极同层且间隔,且第一导电层的表面有多个凹陷;
所述阴极接触区中的第二导电层与所述阴极同层且相连。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管基板,其特征在于,所述油墨层采用喷墨印刷法形成;
所述遮挡结构包括多个设于暴露区内的间隔的凸起,相邻所述凸起上端的间隔在8~20微米之间。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管基板,其特征在于,
所述凸起由相对所述油墨层为疏液性的材料构成。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管基板,其特征在于,
所述凸起为长条状,且其长度方向垂直于所述油墨层的印刷方向。
7.根据权利要求4所述的有机发光二极管基板,其特征在于,还包括设于显示区中的有机发光二极管,所述有机发光二极管包括阳极、有机膜层、阴极;
所述暴露区包括阴极接触区;
所述阴极接触区中设有表面有多个凹陷的、与所述阳极同层且间隔的第一导电层;
所述遮挡结构位于所述第一导电层所在层上方;
所述阴极接触区中还设有位于所述有机膜层所在层上方的、与所述阴极同层且相连的第二导电层,所述阴极接触区中的第一导电层与第二导电层至少部分接触。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管基板,其特征在于,
所述凸起为长条状,且其长度方向垂直于所述油墨层的印刷方向;
所述凹陷为长条状,且与所述凸起平行。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管基板,其特征在于,
所述凸起设在所述凹陷外的位置处。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管基板,其特征在于,所述油墨层采用旋涂法形成;
所述遮挡结构包括设于所述暴露区靠近显示区一侧外的挡墙。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管基板,其特征在于,所述遮挡结构还包括:
设于与所述暴露区靠近显示区一侧相邻的两侧外的挡墙。
12.根据权利要求10所述的有机发光二极管基板,其特征在于,
所述挡墙的高度在0.5~2.0um。
13.根据权利要求1至12中任意一项所述的有机发光二极管基板,其特征在于,还包括:
像素界定层,所述遮挡结构与像素界定层同层。
14.一种有机发光二极管基板的制备方法,其特征在于,所述有机发光二极管基板为权利要求1至13中任意一项所述的有机发光二极管基板,所述有机发光二极管基板的制备方法包括:
形成所述遮挡结构;
形成所述油墨层,使所述油墨层固化形成有机膜层,至少去除所述暴露区中的油墨层或有机膜层。
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