[发明专利]一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示装置有效
| 申请号: | 201510227877.9 | 申请日: | 2015-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN104867962B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 高静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示装置,涉及显示技术领域,能够在不降低OLED显示装置的开口率的前提下,减小第一电极的IR drop。该OLED阵列基板包括第一电极和多个第一像素定义层,还包括位于所述多个第一像素定义层和所述第一电极之间的至少一个导电层;在显示区域内部,所述多个第一像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影;在显示区域外部,所述第一电极和至少一个所述导电层电连接。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示装置。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)显示装置具有反应速度快、对比度高、视角广、轻薄、省电以及成本低等优点,越来越受到广泛关注
具体地,OLED显示装置包括阵列基板,阵列基板上形成有OLED,OLED的第一电极(通常为阴极)为覆盖在阵列基板上的块状电极,通常采用Mg、Ag等导电金属制成。对于顶发射OLED显示装置,OLED发出的光线从第一电极射出,要求第一电极的透光度较高,因此,通常情况下第一电极很薄,从而使得第一电极的电阻较高,IR drop(电压降)较大。然而过大的IR drop会影响画面的均一性。
现有技术中,通过在阵列基板的非像素区域设置第一电极辅助线来减小IR drop,例如在栅线、信号线和电源线的一侧布设若干第一电极辅助线。发明人发现,现有技术中第一电极辅助线会占据一定的区域,导致开口区域的面积减小,从而降低了整个OLED显示装置的开口率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示装置,能够在不降低OLED显示装置的开口率的前提下,减小第一电极的IR drop。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种OLED阵列基板,采用如下技术方案:
一种OLED阵列基板,包括第一电极和多个第一像素定义层,还包括位于所述多个第一像素定义层和所述第一电极之间的至少一个导电层;在显示区域内部,所述多个第一像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影;在显示区域外部,所述第一电极和至少一个所述导电层电连接。
所述阵列基板包括多个所述导电层,在显示区域内部,至少两个所述导电层电连接。
所述阵列基板还包括位于所述第一电极和所述至少一个导电层之间的多个第二像素定义层;所述多个第一像素定义层和所述多个第二像素定义层均为绝缘层。
所述阵列基板还包括衬底基板、薄膜晶体管、第二电极和有机发光层;
所述薄膜晶体管、所述第二电极、所述第一像素定义层、所述导电层、所述第二像素定义层、所述有机发光层和所述第一电极依次设置于所述衬底基板上。
在显示区域内部,所述第二像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影。
在显示区域外部,所述导电层包括沿远离显示区域内部方向超出所述第二像素定义层的超出部分;所述超出部分与所述第一电极电连接。
在显示区域外部,所述第二像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影,所述第二像素定义层上设置有对应于所述导电层和所述第一电极的过孔,所述第一电极通过所述过孔与所述导电层电连接。
所述第一像素定义层的材料为有机绝缘物,所述第二像素定义层的材料为无机绝缘物;或者,所述第一像素定义层的材料为无机绝缘物,所述第二像素定义层的材料为无机绝缘物;
所述导电层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、钼、铝、钕中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





