[发明专利]一种OLED阵列基板及其制作方法、OLED显示装置有效
| 申请号: | 201510227877.9 | 申请日: | 2015-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN104867962B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 高静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED阵列基板,包括第一电极和多个第一像素定义层,其特征在于,还包括位于所述多个第一像素定义层和所述第一电极之间的多个导电层、以及位于所述第一电极与所述多个导电层之间的多个第二像素界定层;在显示区域内部,所述多个第一像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影,多个导电层互相直接电连接,且多个所述导电层与所述第一电极电连接;
其中,在显示区域外部,所述导电层包括沿远离显示区域内部方向超出所述显示区域的超出部分,所述第一电极与所述超出部分电连接。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,
所述阵列基板还包括衬底基板、薄膜晶体管、第二电极和有机发光层;
所述薄膜晶体管、所述第二电极、所述第一像素定义层、所述导电层、所述第二像素定义层、所述有机发光层和所述第一电极依次设置于所述衬底基板上。
3.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,
在显示区域内部,所述第二像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影。
4.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,
在显示区域外部,所述导电层包括沿远离显示区域内部方向超出所述第二像素定义层的超出部分;所述超出部分与所述第一电极电连接。
5.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,
在显示区域外部,所述第二像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影,所述第二像素定义层上设置有对应于所述导电层和所述第一电极的过孔,所述第一电极通过所述过孔与所述导电层电连接。
6.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,
所述第一像素定义层的材料为有机绝缘物,所述第二像素定义层的材料为无机绝缘物;或者,所述第一像素定义层的材料为无机绝缘物,所述第二像素定义层的材料为无机绝缘物;
所述导电层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、钼、铝、钕中的至少一种。
7.一种OLED显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的OLED阵列基板。
8.一种OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成多个第一像素定义层;
形成多个导电层;
形成多个第二像素界定层;
形成第一电极;
其中,所述导电层位于所述多个第一像素定义层和所述第一电极之间,所述第二像素界定层位于所述导电层与所述第一电极之间,在显示区域内部,所述多个第一像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述多个导电层在所述阵列基板上的垂直投影,多个导电层互相直接电连接,且多个所述导电层与所述第一电极电连接;在显示区域外部,所述导电层包括沿远离显示区域内部方向超出所述显示区域的超出部分,所述第一电极与所述超出部分电连接。
9.根据权利要求8所述的OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,
在形成第一像素定义层之前,所述制作方法还包括:
在衬底基板上形成薄膜晶体管;
在形成了所述薄膜晶体管的所述衬底基板上,形成第二电极;
在形成多个第二像素定义层之后,形成第一电极之前,所述制作方法还包括:
在形成了所述多个第二像素定义层的所述衬底基板上,形成有机发光层。
10.根据权利要求9所述的OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,
在显示区域外部,所述第二像素定义层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述导电层在所述阵列基板上的垂直投影;
在形成多个第二像素定义层之后,所述制作方法还包括:
在所述第二像素定义层上形成对应于所述导电层和所述第一电极的过孔。
11.根据权利要求10所述的OLED阵列基板的制作方法,其特征在于,
在形成了所述多个第二像素定义层的所述衬底基板上,形成有机发光层的步骤具体包括:
在形成了所述多个第二像素定义层的所述衬底基板上,使用掩膜板遮盖所述过孔,蒸镀有机发光材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





