[发明专利]半导体装置及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

晶体管(121)；

二极管(122)，其与所述晶体管反向并联连接；

第一检测电路(152)，其被配置为检测所述晶体管的栅电压关于时间的变化率；

第二检测电路(153)，其被配置为检测所述晶体管的栅电流；

计算电路(154)，其被配置为基于所述栅电压关于时间的所述变化率和所述栅电流来计算栅电容；以及

判定电路(155)，其被配置为基于在注入电荷至所述晶体管的栅极时的所述栅电容的判定结果，来判定电流是流向所述二极管还是流向所述晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

基于在所述晶体管为关断时的所述栅电容的判定结果来控制所述晶体管的通断。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：

通断判定电路(156)，其被配置为基于在所述晶体管为关断时的所述栅电容的判定结果来判定是否导通所述晶体管。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中

所述第一检测电路、所述第二检测电路、所述计算电路、所述判定电路以及所述通断判定电路构成控制电路的一部分；并且

所述控制电路被配置为控制所述晶体管的通断。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中

所述控制电路包括驱动电路(157)；并且

所述驱动电路被配置为基于从所述通断判定电路输出的信号来控制所述晶体管的所述通断。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，进一步包括：

电流注入电路(180)，其被配置为在所述晶体管为关断时注入电荷至所述栅极；以及

关断保持电路(190)，其被配置为在所述晶体管为关断时将所述栅电压保持在预定值以下。

7.一种半导体装置的控制方法，所述半导体装置包括晶体管(121)和与所述晶体管反向并联连接的二极管(122)，所述控制方法的特征在于包括：

检测所述晶体管的栅电压关于时间的变化率；

检测所述晶体管的栅电流；

基于所述栅电压关于时间的所述变化率和所述栅电流，来计算栅电容；以及

基于当电荷被注入至所述晶体管的栅极时的所述栅电容的判定结果，来判定电流是流向所述二极管还是流向所述晶体管。