[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包含：

一半导体晶片，具有一电子元件以及至少一导电垫，该导电垫与该电子元件电性连接且配置于该半导体晶片的一上表面；

一穿孔，自该半导体晶片的一下表面朝该上表面延伸并暴露出该导电垫；

一绝缘层，自该下表面朝该上表面延伸，部分该绝缘层位于该穿孔之中，其中该绝缘层具有一开口以暴露出该导电垫；

一重布局层，自该下表面朝该上表面延伸，部分该重布局层位于该穿孔之中，其中该重布局层通过该开口与该导电垫电性连接；以及

一封装层，自该下表面朝该上表面延伸，部分该封装层位于该穿孔之中。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该半导体晶片的该上表面是一平坦表面。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该穿孔包含：

一凹部，自该下表面朝该上表面延伸；以及

一导孔，自该凹部朝该上表面延伸，以暴露出该导电垫，

其中该凹部的一宽度大于该导孔的一宽度。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该凹部的一深度大于该导孔的一深度。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，该导孔的一宽深比小于2。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一导电结构，该导电结构位于该下表面下，且与该重布局层电性连接。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该导电结构是指一锡球。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该电子元件是一感光元件。

9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含：

一滤光层，配置于该上表面上。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含：

一耐磨层，配置于该上表面上。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含：

一疏水层，配置于该上表面上。

12.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含：

提供一半导体晶圆，该半导体晶圆包含相邻排列的至少二半导体晶片，且具有一上表面及一下表面，各该半导体晶片的至少一侧具有位于该上表面的至少一导电垫；

形成至少二穿孔，该至少二穿孔分别对应该至少二半导体晶片，且自该下表面朝该上表面延伸，以暴露出各该导电垫；

形成一绝缘层，该绝缘层自该下表面朝该上表面延伸，部分该绝缘层位于所述穿孔之中，其中该绝缘层具有至少二开口以暴露出各该导电垫；

形成一重布局层，该重布局层自该下表面朝该上表面延伸，部分该重布局层位于所述穿孔之中，其中该重布局层通过该开口与各该导电垫电性连接；以及

形成一封装层，该封装层自该下表面朝该上表面延伸，部分该封装层位于所述穿孔之中。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，形成该穿孔的步骤包含：

形成至少二凹部，该至少二凹部分别对应该至少二半导体晶片，所述凹部自该下表面朝该上表面延伸；以及

形成一导孔，该导孔自该凹部朝该上表面延伸，以暴露出该导电垫。

14.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，进一步包含形成至少二导电结构，该至少二导电结构分别对应该至少二半导体晶片且配置该下表面下，其中该导电结构与该重布局层电性连接。

15.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该导电结构是指锡球。

16.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，进一步包含：

形成至少二焊接垫，该至少二焊接垫分别对应该至少二半导体晶片且配置该下表面下，且与该重布局层电性连接；以及

形成一焊接线，该焊接线与该焊接垫电性连接。

17.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，进一步包含：

形成一钝化层，该钝化层位于该上表面上且覆盖各该半导体晶片。