[发明专利]激光气相沉积方式修补白缺陷的方法有效

专利信息
申请号: 201510097968.5 申请日: 2015-03-04
公开(公告)号: CN104746041B 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 张俊;李跃松 申请(专利权)人: 深圳清溢光电股份有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C14/28
代理公司: 深圳中一专利商标事务所44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳市高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 激光 沉积 方式 修补 缺陷 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于光伏产业的白缺陷修补技术领域,具体涉及一种激光气相沉积方式修补白缺陷的方法。

背景技术

激光气相沉积技术广泛用于铬版等光伏产业的白缺陷修补,目前技术为step单光斑激光气相沉积技术,对狭缝slit范围内激光能量的均匀性有较高的要求,因此不适用于较大尺寸的白缺陷修补,且其修补黑度和粘附力略有不足,难以满足高标准要求产品的制作要求。

发明内容

本发明实施例的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种激光气相沉积方式修补白缺陷的方法,可以修补大尺寸的白缺陷。

为了实现上述发明目的,本发明实施例的技术方案如下:

一种激光气相沉积方式修补白缺陷的方法,包括:

在靠近所述白缺陷的一角设置修补起点,在靠近所述白缺陷的所述修补起点的对角设置修补终点,使得在所述白缺陷所在平面上,以所述修补起点沿横向延伸的直线、所述修补起点沿纵向延伸的直线、所述修补终点沿横向延伸的直线、所述修补终点沿纵向延伸的直线围成的区域为扫描修补区域,所述白缺陷完全位于所述扫描修补区域内;

采用激光气相沉积方式在所述扫描修补区域内从所述修补起点扫描修补至所述修补终点,使所述白缺陷表面完全覆盖修补薄膜完成所述修补。

本发明实施例的激光气相沉积方式修补白缺陷的方法,通过扫描修补的方式,相对于现有技术中单光斑修复方式(点修复),可以修补大尺寸的白缺陷。

附图说明

图1为本发明实施例的激光气相沉积方式修补白缺陷的方法的流程图;

图2为本发明实施例1的修补前的白缺陷的示意图;

图3为本发明实施例1的采用激光气相沉积方式修补后的白缺陷的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图和实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种激光气相沉积方式修补白缺陷的方法。该修复方法通过激光气相沉积技术使扫描修补气体沉积到白缺陷处完成修补。该方法适用于在以玻璃作为基板的表面上镀有金属层的白缺陷的修补。激光气相沉积方式修补白缺陷的方法依靠在载板平台上分别安装用于气相沉积的蒸汽供给排放系统和激光光路系统,在激光光路系统LCVD头处由激光照射LCVD头吹向待修复板的蒸汽,将该蒸汽粘附在待修复板上的白缺陷处。

如图1所示,为本发明实施例的激光气相沉积方式修补白缺陷的方法的流程图。该方法具体包括如下的步骤:

步骤S01:在靠近白缺陷的一角设置修补起点,在靠近白缺陷的修补起点的对角设置修补终点,使得在白缺陷所在平面上,以修补起点沿横向延伸的直线、修补起点沿纵向延伸的直线、修补终点沿横向延伸的直线、修补终点沿纵向延伸的直线围成的区域为扫描修补区域,白缺陷完全位于该扫描修补区域内。

其中,修补起点沿纵向延伸的直线距与其相邻的白缺陷的一侧的距离为10~20μm,修补起点沿横向延伸的直线距与其相邻的白缺陷的一侧的距离为5~10μm;修补终点沿纵向延伸的直线距与其相邻的白缺陷的一侧的距离为10~20μm,修补终点沿横向延伸的直线距与其相邻的白缺陷的一侧的距离为5~10μm。上述的“距与其相邻的白缺陷的一侧的距离”在此处具体指的是“该侧与直线最接近的一点与直线之间的距离”。

上述修补起点、修补终点和扫描修补区域的设置,使得修补薄膜可以完全覆盖白缺陷,不会使修补产生遗漏的白缺陷;同时,由于覆盖修补薄膜的非白缺陷区域较小,不会影响其正常的功能,也不会造成材料的浪费。

步骤S02:采用激光气相沉积方式在扫描修补区域内从修补起点扫描修补至修补终点,使白缺陷表面完全覆盖修补薄膜完成修补。

从扫描开始就同时进行抽废气,该抽废气的过程包括抽走并加热废气使废气便于排放。抽走废气的流量为16~20L/min。具体的加热温度可以根据废气的成分具体确定。例如,当废气为铬蒸汽时,加热废气的温度为300℃。由于在激光气相沉积的过程中,不可避免有多余的修补气体沉积到白缺陷表面造成修补后的白缺陷平整度低,因此,需要在扫描修补的同时抽走多余的修补气体。

步骤S02的具体过程包括:

步骤S021A:从修补起点沿横向扫描修补至扫描修补区域的另一侧,在经过的区域的表面覆盖一层薄膜。

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