[发明专利]具有导电微丝图形的制品的制备有效
申请号: | 201480064334.3 | 申请日: | 2014-11-19 |
公开(公告)号: | CN105745574B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | Y.王;J.A.勒本斯;M.L.赖特;J.A.卡明斯 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘辛;李炳爱 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 导电 图形 制品 制备 | ||
1.一种用于在制品中制备微丝图形的方法,所述方法包括:
在具有低于150ºC的变形温度的透明柔性基底上提供可光致固化层,
在所述可光致固化层内形成微通道的图形,所述可光致固化层在形成所述微通道的温度下具有低于5,000帕斯卡.秒的粘度,所述微通道具有小于或等于4 µm的平均宽度和大于或等于1的平均深度与平均宽度比率,
将所述可光致固化层暴露于固化紫外辐射,以在所述透明柔性基底上的光固化层内形成光固化微通道的图形,所述光固化微通道具有小于或等于4 µm的平均宽度和大于或等于1的平均深度与平均宽度比率,
将包含金属纳米颗粒的导电组合物施加至所述光固化微通道,
除去在所述光固化微通道外面的任何过量导电组合物,而使导电组合物留在所述光固化微通道的图形内,
固化所述光固化微通道的图形中的所述导电组合物,以在所述透明柔性基底上的所述光固化微通道的图形中提供导电微丝的图形,和
进行或不进行抛光在所述透明柔性基底上的所述导电微丝的图形,
其中至少50%的所述导电微丝各自具有低于0.025欧姆/平方的薄膜电阻。
2.权利要求1所述的方法,其包括:
在所述可光致固化层内形成微通道的图形以使得所述微通道的平均深度与平均宽度比率大于1且小于或等于3,和
将所述可光致固化层暴露于固化紫外辐射以形成具有小于或等于3 µm的平均宽度和大于1且小于或等于3的平均深度与平均宽度比率的光固化微通道的图形。
3.权利要求1所述的方法,其包括在低于或等于130ºC的温度下形成所述微通道的图形。
4.权利要求1所述的方法,其包括在大于或等于90ºC的温度下固化所述导电组合物。
5.权利要求1所述的方法,其包括使用机械手段除去任何过量导电组合物。
6.权利要求1所述的方法,其中所述可光致固化层包含可交联的材料。
7.权利要求1所述的方法,其中所述导电组合物包含银纳米颗粒。
8.权利要求1所述的方法,其中所述导电微丝独立地具有至少0.5 µm且小于或等于4 µm的平均宽度。
9.权利要求1所述的方法,其中所述可光致固化层包含暴露于至少190 nm且小于或等于500 nm的辐射后生成酸的化合物、具有小于1,000的环氧当量分子量的多官能环氧化合物和由以下结构(I)代表的环氧硅烷低聚物:
(I)
其中R和R1独立地为取代或未取代的烷基,R2是取代或未取代的直链、支链或环状烷基或被环氧化物取代的烷基醚残基,R3是氢或取代或未取代的烷基,且x + y
10.一种根据权利要求1所述的方法制备的导电制品,所述制品包含透明柔性基底和在其上布置的导电微丝的图形,所述导电微丝具有小于或等于4 µm的平均宽度和大于1的平均深度与平均宽度比率,且至少50%的所述导电微丝各自具有低于0.025欧姆/平方的薄膜电阻。
11.权利要求10所述的导电制品,其展示小于10%的雾度和至少80%的光透射。
12.权利要求10所述的导电制品,其展示小于5%的雾度和至少85%的光透射。
13.权利要求10所述的导电制品,其中所述导电微丝的图形包含导电银、钯、铂、铜、镍或氧化铟锡。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司,未经伊斯曼柯达公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480064334.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:目标处理单元
- 下一篇:偏振片及使用其的液晶显示装置