[发明专利]使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻位于基材上的含硅层的方法，所述方法包括：将化合物蒸气引入包含位于基材上的含硅层的室中，所述化合物选自如下：C₂F₄S₂(CAS1717-50-6)、F₃CSH(CAS1493-15-8)、F₃C-CF₂-SH(CAS 1540-78-9)、F₃C-CH₂-SH(CAS1544-53-2)、CHF₂-CF₂-SH(812-10-2)、CF₃-CF₂-CH₂-SH(CAS 677-57-6)、F₃C-CH(SH)-CF₃(CAS1540-06-3)、F₃C-S-CF₃(CAS 371-78-8)、F₃C-S-CHF₂(CAS 371-72-2)、F₃C-CF₂-S-CF₂-CF₃(CAS155953-22-3)、F₃C-CF₂-CF₂-S-CF₂-CF₂-CF₃(CAS 356-63-8)、c(-S-CF₂-CF₂-CHF-CF₂-)(CAS1035804-79-5)、c(-S-CF₂-CHF-CHF-CF₂-)(CAS 30835-84-8)、c(-S-CF₂-CF₂-CF₂-CF₂-CF₂-)(CAS 24345-52-6)、c(-S-CFH-CF₂-CF₂-CFH-)(2R,5R)(CAS 1507363-75-8)、c(-S-CFH-CF₂-CF₂-CFH-)(2R,5S)(CAS1507363-76-9)和c(-S-CFH-CF₂-CF₂-CH₂-)(CAS1507363-77-0)；

将惰性气体引入所述室中；

产生等离子体以由所述蒸气生产经活化的蒸气；和

从所述室中除去挥发性副产物，其中经活化的蒸气与含硅层选择性反应以形成挥发性副产物。

2.根据权利要求1的方法，其中所述化合物为C₂F₄S₂(CAS1717-50-6)。

3.根据权利要求1的方法，其中所述化合物选自F₃CSH(CAS 1493-15-8)、F₃C-CF₂-SH(CAS1540-78-9)、F₃C-CH₂-SH(CAS1544-53-2)、CHF₂-CF₂-SH(812-10-2)、CF₃-CF₂-CH₂-SH(CAS 677-57-6)和F₃C-CH(SH)-CF₃(CAS1540-06-3)。