[发明专利]具有低缺陷密度的大块硅碳化物

权利要求书

1.一种在含有包括坩埚的热区的升华炉中所形成的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶是生长在晶种保持器内的硅碳化物晶种晶圆上，该硅碳化物晶种晶圆的顶部表面和底部表面曝露于坩埚的上部区，且该硅碳化物梨晶具有：

平坦实质圆形外侧表面，其中，该平坦实质圆形外侧表面是该硅碳化物晶种晶圆的顶部表面并包含至少两种碳质涂料，

沿着该硅碳化物梨晶周缘的曲形外表面，其中，该曲形外表面的直径顺着垂直自该硅碳化物晶种晶圆之方向，增加至顺着与该平坦实质圆形外侧表面平行的方向包含实质圆形截面形状的中间区段之大约中心处，以及

与该平坦实质圆形外侧表面对立的圆锥形外表面，

其中，该硅碳化物梨晶包括顶部区段、底部区段及中间区段，该顶部区段包含该平坦实质圆形外侧表面，该底部区段包含与该平坦实质圆形外侧表面对立的该圆锥形外表面，且该中间区段位于该顶部区段和底部区段之间，

其中，该顶部区段包含向内的曲形外表面，该中间区段包含向外的曲形外表面，且该底部区段包含圆顶状外表面，

其中，该硅碳化物的曝露的该顶部表面为未附着至或悬挂自该热区内的该硅碳化物晶种上面的任何组件，包括坩埚，以及

其中，该晶种保持器包括一或多个蒸汽释离开口，其为设于该晶种保持器中以允许来自该硅碳化物先驱物的升华所生成的蒸汽排出该坩埚。

2.如权利要求1所述的硅碳化物梨晶，其中，使该碳质涂料的至少一者硬化。

3.如权利要求1所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶在该顶部表面上包含2至5种涂料，形成经硬化而形成晶种保护层的复合层。

4.如权利要求1所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶具有大于75mm的最大直径。

5.如权利要求4所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶的该最大直径为80mm至85mm。

6.如权利要求1所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶具有大于100mm的最大直径。

7.如权利要求6所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶的该最大直径为105mm至115mm。

8.如权利要求1所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶具有大于150mm的最大直径。

9.如权利要求8所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶的该最大直径为160mm至170mm。

10.如权利要求1所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶具有大于200mm的最大直径。

11.如权利要求10所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶的该最大直径为210mm至230mm。

12.如权利要求1所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶具有少于8000/cm²的总缺陷数。

13.如权利要求12所述的硅碳化物梨晶，其中，该总缺陷数少于6000/cm²。

14.如权利要求12所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶具有密度小于4000/cm²的TED。

15.如权利要求14所述的硅碳化物梨晶，其中，该TED密度小于2500/cm²。

16.如权利要求12所述的硅碳化物梨晶，其中，该硅碳化物梨晶具有小于3500/cm²的TSD。

17.如权利要求16所述的硅碳化物梨晶，其中，该TSD密度小于3000/cm²。