[发明专利]半导体装置的制造中使用的粘接片、切割带一体型粘接片、半导体装置、以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201480020512.2 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN105102566B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 志贺豪士;高本尚英 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/30 | 分类号: | C09J7/30;C09J11/04;C09J133/00;H01L21/301;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 使用 粘接片 切割 体型 以及 方法 | ||
1.一种粘接片,其特征在于,其为半导体装置的制造中使用的粘接片,
所述粘接片含有平均粒径小于0.1μm的填料和丙烯酸类树脂,
所述填料的含量相对于粘接片整体在20~45重量%的范围内,
所述丙烯酸类树脂的含量相对于全部树脂成分在40~70重量%的范围内。
2.根据权利要求1所述的粘接片,其特征在于,所述粘接片为用于形成在半导体元件的背面的倒装芯片型半导体背面用薄膜,所述半导体元件倒装芯片连接于被粘物上。
3.根据权利要求1所述的粘接片,其特征在于,所述填料的最大粒径为0.5μm以下。
4.根据权利要求1所述的粘接片,其特征在于,所述填料为二氧化硅系填料。
5.根据权利要求1所述的粘接片,其特征在于,未固化状态的23℃下的拉伸储能模量为1.0GPa~3.0GPa。
6.根据权利要求1所述的粘接片,其特征在于,所述填料的平均粒径为0.05μm以下。
7.一种切割带一体型粘接片,其特征在于,其为在切割带上层叠有权利要求1~6中任一项所述的粘接片的切割带一体型粘接片,
所述切割带为在基材上层叠有粘合剂层的结构,所述粘接片层叠于所述粘合剂层上。
8.一种半导体装置,其特征在于,其是使用权利要求7所述的切割带一体型粘接片而制造的。
9.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,其为使用了权利要求7所述的切割带一体型粘接片的半导体装置的制造方法,该方法具备以下工序:
在所述切割带一体型粘接片中的粘接片上贴附半导体晶圆的工序;
切割所述半导体晶圆而形成半导体元件的工序;
将所述半导体元件与所述切割带一体型粘接片一起从切割带的粘合剂层剥离的工序;和
将所述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上的工序。
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