[发明专利]绝缘栅型半导体装置

权利要求书

1.一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，包括：

绝缘栅型半导体元件，该绝缘栅型半导体元件将根据输出规格而确定的第1栅极电压接收到控制端子以进行导通动作，将输入电压进行开关并输出到负载；

输出电流检测单元，该输出电流检测单元对随着该绝缘栅型半导体元件的开关动作而向所述负载输出的输出电流进行检测；

电压检测单元，该电压检测单元检测所述绝缘栅型半导体元件的导通电压；及

发热量抑制单元，该发热量抑制单元在所述输出电流超过额定电流值、且所述导通电压低于预定的第1阈值电压时，将施加在所述绝缘栅型半导体元件的控制端子上的栅极电压设定得高于所述第1栅极电压，以抑制该绝缘栅型半导体元件的发热量。

2.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，

所述绝缘栅型半导体元件为IGBT，所述电压检测单元检测所述IGBT的集电极发射极间电压Vce。

3.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，

所述绝缘栅型半导体元件为功率MOS-FET，所述电压检测单元检测所述功率MOS-FET的漏极源极间电压Vds。

4.如权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，

所述第1阈值电压设定为所述输出电流为额定电流时的所述绝缘栅型半导体元件的导通电压的2倍。

5.如权利要求1至4中任一项所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，

还包括输出电流降低单元，该输出电流降低单元在所述输出电流超过额定电流值、且所述导通电压高于根据所述绝缘栅型半导体元件的最大额定电压而确定的第2阈值电压时，将施加在该绝缘栅型半导体元件的控制端子上的栅极电压设定得低于所述第1栅极电压，以降低所述输出电流。

6.如权利要求5所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，

所述第2阈值电压设定为所述绝缘栅型半导体元件的最大额定电压的1/2。