[发明专利]半导体装置的驱动方法有效
| 申请号： | 201480012428.6 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105122451B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 松井俊之;阿部和;八尾典明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王颖,李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 驱动 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的驱动方法，其特征在于，
具备在形成有半导体有源元件的基板上隔着绝缘膜而形成的具有pn结的温度检测用二极管，当检测到改变对多个所述温度检测用二极管进行通电的电流值时的输出电压的变化时，
根据该温度检测用二极管的寿命，规定对所述温度检测用二极管进行通电的电流密度的上限值，
并且，根据该温度检测用二极管的以输出电压的标准偏差表示的允许偏差电压，规定对所述温度检测用二极管进行通电的电流密度的下限值，
在所述上限值和所述下限值的范围内，确定对所述温度检测用二极管进行通电的电流值。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的驱动方法，其特征在于，
所述温度检测用二极管是由多晶硅构成的pn结二极管。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的驱动方法，其特征在于，
在所述温度检测用二极管所要求的寿命为15年时，所述电流密度的上限值为1213A/cm2。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的驱动方法，其特征在于，
在所述温度检测用二极管的以输出电压的标准偏差表示的允许偏差电压为2.5mV时，所述电流密度的下限值为50A/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
