[实用新型]大功率半导体电路

权利要求书

1.一种大功率半导体电路，其包括具有控制端子(G)和第一、第二负载电流端子(C、E)的大功率半导体开关(T1)以及与所述控制端子(G)和所述第二负载电流端子(E)电连接的触发电路(4)，所述触发电路用于操纵所述大功率半导体开关(T1)，

·其中，在所述触发电路(4)和所述控制端子(G)之间电联接控制端子电阻元件(RN1)，其中，所述控制端子电阻元件(RN1)热耦合在所述大功率半导体开关(T1)上，其中，在所述控制端子电阻元件(RN1)的温度为175℃或者300℃时所述控制端子电阻元件(RN1)的欧姆电阻是在所述控制端子电阻元件(RN1)的温度为20℃时所述控制端子电阻元件(RN1)的欧姆电阻的最大90％，和/或

·其中，在所述触发电路(4)和第二负载电流端子(E)之间电联接负载电流端子电阻元件(RN2)，其中，所述负载电流端子电阻元件(RN2)热耦合在所述大功率半导体开关(T1)上，其中，在所述负载电流端子电阻元件(RN2)的温度为175℃或者300℃时所述负载电流端子电阻元件(RN2)的欧姆电阻是在所述负载电流端子电阻元件(RN2)的温度为20℃时所述负载电流端子电阻元件(RN2)的欧姆电阻的最大90％，和/或

·其中，所述控制端子(G)通过第一电流支路(9)与所述第二负载电流端子(E)电连接，其中，控制负载电流端子电阻元件(RP)电联接到所述第一电流支路(9)中，其中，所述控制负载电流端子电阻元件(RP)热耦合在所述大功率半导体开关(T1)上，其中，在所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的温度为175℃或者300℃时所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的欧姆电阻是在所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的温度为20℃时所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的欧姆电阻的最小150％。

2.根据权利要求1所述的大功率半导体电路，其特征在于，在所述大功率半导体电路(2)具有控制端子电阻元件(RN1)的情况下，在所述控制端子电阻元件(RN1)的温度为175℃或者300℃时所述控制端子电阻元件(RN1)的欧姆电阻是在所述控制端子电阻元件(RN1)的温度为20℃时所述控制端子电阻元件(RN1)的欧姆电阻的最大75％。

3.根据权利要求1所述的大功率半导体电路，其特征在于，在所述大功率半导体电路(2)具有控制端子电阻元件(RN1)的情况下，在所述控制端子电阻元件(RN1)的温度为175℃或者300℃时所述控制端子电阻元件(RN1)的欧姆电阻是在所述控制端子电阻元件(RN1)的温度为20℃时所述控制端子电阻元件(RN1)的欧姆电阻的最大60％。

4.根据前述权利要求中任意一项所述的大功率半导体电路，其特征在于，在所述大功率半导体电路(2)具有负载电流端子电阻元件(RN2)的情况下，在所述负载电流端子电阻元件(RN2)的温度为175℃或者300℃时所述负载电流端子电阻元件(RN2)的欧姆电阻是在所述负载电流端子电阻元件(RN2)的温度为20℃时所述负载电流端子电阻元件(RN2)的欧姆电阻的最大75％。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的大功率半导体电路，其特征在于，在所述大功率半导体电路(2)具有负载电流端子电阻元件(RN2)的情况下，在所述负载电流端子电阻元件(RN2)的温度为175℃或者300℃时所述负载电流端子电阻元件(RN2)的欧姆电阻是在所述负载电流端子电阻元件(RN2)的温度为20℃时所述负载电流端子电阻元件(RN2)的欧姆电阻的最大60％。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的大功率半导体电路，其特征在于，在所述大功率半导体电路(2)具有控制负载电流端子电阻元件(RP)的情况下，在所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的温度为175℃或者300℃时所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的欧姆电阻是在所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的温度为20℃时所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的欧姆电阻的最小200％。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的大功率半导体电路，其特征在于，在所述大功率半导体电路(2)具有控制负载电流端子电阻元件(RP)的情况下，在所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的温度为175℃或者300℃时所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的欧姆电阻是在所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的温度为20℃时所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的欧姆电阻的最小500％。