[实用新型]LED发光装置

权利要求书

1.一种LED发光装置，其特征在于，所述LED发光装置包括：

一电路板，所述电路板具有一基板与一电路层，所述基板具有位于相反侧的一第一表面与一第二表面，所述电路层设置于所述基板的第一表面，且所述电路层具有一LED线路、一电子元件线路以及两个电极，所述电子元件线路电性连接于所述LED线路，而所述电极电性连接于所述电子元件线路；

至少一直流LED裸晶，所述直流LED裸晶装设于所述LED线路上；

多个电子元件，所述电子元件装设于所述电子元件线路上，并且所述电子元件包含一LED驱动元件、一整流元件及一电压抑制元件，而所述电压抑制元件以及所述直流LED裸晶呈并联地电性连接；

一第一封装体，呈透光状，所述第一封装体形成于所述第一表面且所述直流LED裸晶包覆于所述第一封装体内；以及

一第二封装体，所述第二封装体形成于所述第一表面且所述电子元件包覆于所述所述第二封装体内；

其中，所述电极电性连接于一交流电源，使所述交流电源所提供的交流电力经由所述电路层与所述电子元件的传输与转换而能使所述直流LED裸晶发光；并且当所述电压抑制元件所承受的电压大于一电压临界值时，所述电压抑制元件形成一短路路径。

2.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述电压抑制元件以及所述整流元件呈并联地电性连接。

3.根据权利要求2所述的LED发光装置，其特征在于，所述电压抑制元件为设置于所述整流元件之后的单向元件或双向元件，或者，所述电压抑制元件为设置于所述整流元件之前的双向元件。

4.根据权利要求2所述的LED发光装置，其特征在于，所述第二封装体具有一远离所述电路板的反射面，并且所述反射面相对于波长为400nm至500nm的光线具有大于85%的反射率。

5.根据权利要求4所述的LED发光装置，其特征在于，所述第一封装体具有一远离所述电路板的出光面，所述反射面覆盖在远离所述电路板的内阻隔墙的顶缘，所述反射面与所述出光面呈共平面设置，并且所述反射面与所述出光面呈无间隙地相连。

6.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述电压抑制元件为金属氧化物压敏电阻或是瞬态电压抑制器。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的LED发光装置，其特征在于，所述LED发光装置进一步具有呈圆形且设置于所述电路板的一内阻隔墙与一外阻隔墙，所述内阻隔墙与所述电路板共同包围界定出一内容置空间，所述LED线路至少部分地显露于所述内容置空间，且所述直流LED裸晶位于所述内容置空间中；所述外阻隔墙位于所述内阻隔墙的外侧，并且所述外阻隔墙的圆心与所述内阻隔墙的圆心重叠，所述外阻隔墙、所述内阻隔墙与所述电路板共同包围界定出一外容置空间，所述电子元件线路至少部分地显露于所述外容置空间，且所述电子元件呈圆环状地排列设置于所述外容置空间中，而所述电极至少部分地显露于所述外阻隔墙之外。

8.根据权利要求7所述的LED发光装置，其特征在于，远离所述基板的所述内阻隔墙的顶缘至所述基板的第一表面的距离大于任一个所述直流LED裸晶的顶缘至所述基板的第一表面的距离。

9.根据权利要求8所述的LED发光装置，其特征在于，远离所述基板的所述外阻隔墙的顶缘至所述基板的第一表面的距离大于任一个所述电子元件的顶缘至所述基板的第一表面的距离。

10.根据权利要求9所述的LED发光装置，其特征在于，所述内阻隔墙的顶缘至所述基板的第一表面的距离等于所述外阻隔墙的顶缘至所述基板的第一表面的距离。