[实用新型]半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体装置，特别涉及对具有分裂栅极构造的MONOS（Metal Oxide Nitride Oxide Semiconductor，金属氧化物、氮氧化物半导体）型非易失性存储器单元的半导体装置适用而有效的技术。

背景技术

作为用作非易失性存储器单元的元件，近年来，以氮化膜为电荷积蓄层的MONOS型非易失性存储器单元（以下有时还简称为MONOS存储器）备受关注。在MONOS型非易失性存储器单元中，除了具有单一的晶体管构造的存储器单元以外，还提出了具有选择栅电极以及存储器栅电极并具有二个晶体管构造的分裂栅极构造的存储器单元。

构成分裂栅极构造的MONOS存储器并在半导体基板上相互邻接的选择栅电极以及存储器栅电极通过介于它们之间的包括电荷积蓄层的绝缘膜电气地绝缘。在使该MONOS存储器动作时，通过针对该电荷积蓄层存取电荷，进行信息的存储以及擦除。

在专利文献1（国际专利公开WO2010/082389号公报）中记载了如下内容：通过在构成分裂栅极构造的MONOS存储器的选择栅电极上设置绝缘膜，防止相互邻接的选择栅电极和存储器栅电极发生短路。

【专利文献1】国际专利公开WO2010/082389号公报

为了对选择栅电极以及存储器栅电极的各个供给不同的电位，在各电极的上表面连接栓。此处，在如专利文献1那样用绝缘膜覆盖选择栅电极的上表面的情况下，在作为供电区域的分流区域中，为了在选择栅电极的上表面连接栓，需要使选择栅电极的上表面的一部分从该绝缘膜露出。

此时，在分流区域中与上表面露出的选择栅电极的侧壁邻接地形成了存储器栅电极的情况下，有通过在选择栅电极以及存储器栅电极的上表面形成的硅化物层等，在选择栅电极以及存储器栅电极之间引起短路，半导体措施的可靠性降低的危险。

其他目的和新的特征根据本说明书的记述以及附图将变得明确。

如果简单说明在本申请中公开的实施方式中的代表性的实用新型的概要，则如下所述。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于提供一种能够提高可靠性的半导体装置。

本实用新型提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第1层叠膜，隔着第1栅极绝缘膜形成在半导体基板上，由在沿着所述半导体基板的主面的第1方向上延伸的、第1选择栅电极以及所述第1选择栅电极上的第1帽绝缘膜构成；第1存储器栅电极，隔着包括第1电荷积蓄层的第2栅极绝缘膜而与所述第1选择栅电极的在所述第1方向上延伸的第1侧壁的相反侧的第2侧壁邻接，所述第1存储器栅电极在所述第1方向上延伸；第1供电部，是所述第1方向中的所述第1选择栅电极的端部，在平面视图中所述第1供电部从所述第1帽绝缘膜露出；以及第1栓，与所述第1供电部的上表面连接，所述第1存储器栅电极相比于平面视图中的所述第1供电部以及所述第1帽绝缘膜之间的边界更靠所述第1帽绝缘膜侧终止。

根据一个实施例，在平面视图中，在所述第1供电部与所述第1存储器栅电极之间形成有所述第1帽绝缘膜。

根据一个实施例，所述半导体装置具有：第2层叠膜，隔着第3栅极绝缘膜形成在所述半导体基板上，由在所述第1方向上延伸的、第2选择栅电极以及所述第2选择栅电极上的第2帽绝缘膜构成；第2存储器栅电极，隔着包括第2电荷积蓄层的第4栅极绝缘膜而与所述第2选择栅电极的在所述第1方向上延伸的第3侧壁的相反侧的第4侧壁邻接，所述第2存储器栅电极在所述第1方向上延伸；第2供电部，是所述第2选择栅电极的一部分，所述第2供电部从所述第2选择栅电极的所述第3侧壁，向与所述第1方向正交的第2方向突出，在平面视图中从所述第2帽绝缘膜露出；以及第2栓，与所述第2供电部的上表面连接，在所述第2方向上交替排列配置了多个所述第1选择栅电极以及所述第2选择栅电极，所述第1侧壁以及所述第3侧壁被相对地配置，在所述第1方向上排列配置了多个所述第1选择栅电极，针对在所述第1方向上相邻的所述第1选择栅电极彼此之间的区域，在所述第2方向上配置了所述第2供电部以及所述第2存储器栅电极的第3供电部。

根据一个实施例，在所述第1选择栅电极的正上方，在与所述第1方向正交的第2方向中排列配置了所述第1供电部以及所述第1帽绝缘膜。

根据一个实施例，在平面视图中，所述第1帽绝缘膜的端部到达所述第1方向中的所述第1选择栅电极的最终端部。

根据一个实施例，所述边界从平面视图中的所述第1侧壁达到所述第2侧壁，沿着与所述第1方向正交的第2方向。