[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。阵列基板包括呈矩阵分布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管包括：基板；设置在基板同一表面的低温多晶硅层、源极、漏极以及第一导电层，低温多晶硅层设置于基板的表面的中部，源极及漏极设置于低温多晶硅层的两侧，且源极的一端电连接低温多晶硅层的一端，漏极的一端电连接低温多晶硅层的另一端，漏极的另一端电连接第一导电层；绝缘层，绝缘层设置于低温多晶硅层、源极、漏极以及第一导电层上；栅极，栅极设置于绝缘层上且对应低温多晶硅层设置；钝化层，层叠设置于栅极上；以及第二导电层，第二导电层设置于钝化层上且对应第一导电层设置。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

背景技术

显示设备，比如液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)是一种常用的电子设备，由于其具有功耗低、体积小、重量轻等特点，因此备受用户的青睐。随着平面显示技术的发展，具有高分辨率、低能耗的液晶显示器的需求被提出。非晶硅的电子迁移率较低，而低温多晶硅(Low Temperature Ploy-silicon)可以在低温下制作，且拥有比非晶硅更高的电子迁移率。其次，低温多晶硅制作的CMOS器件可应用于使液晶显示器具有更高的分辨率和低能耗。因此，低温多晶硅得到了广泛地应用和研究。目前，包括低温多晶硅薄膜晶体管的阵列基板由于低温多晶硅中的光罩次数较多，一般而言，所述低温多晶硅薄膜晶体阵列基板的光罩次数为十次，从而造成低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制备较为困难，且不利于产能的提高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括呈矩阵分布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：

基板；

设置在所述基板同一表面的低温多晶硅层、源极、漏极以及第一导电层，所述低温多晶硅层设置于所述基板的表面的中部，所述源极及所述漏极设置于所述低温多晶硅层的两侧，且所述源极的一端电连接所述低温多晶硅层的一端，所述漏极的一端电连接所述低温多晶硅层的另一端，所述漏极的另一端电连接所述第一导电层；

绝缘层，所述绝缘层设置于所述低温多晶硅层、所述源极、所述漏极以及所述第一导电层上；

栅极，所述栅极设置于所述绝缘层上且对应所述低温多晶硅层设置；

钝化层，所述钝化层层叠设置于所述栅极上；以及

第二导电层，所述第二导电层设置于所述钝化层上且对应所述第一导电层设置，其中，所述第一导电层为像素电极，所述第二导电层为公共电极。

其中，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设置于所述基板的表面，所述低温多晶硅层、所述源极、所述漏极及所述第一导电层通过所述遮光层设置于所述基板的表面，且所述遮光层对应所述低温多晶硅层设置。

其中，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层层叠设置于所述遮光层上，所述低温多晶硅层、所述源极、所述漏极及所述第一导电层通过所述缓冲层及所述遮光层设置于所述基板的表面上。

其中，所述阵列基板还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层连接所述源极及所述低温多晶硅层，所述第一欧姆接触层用于降低所述源极与所述低温多晶硅层之间的接触电阻。

其中，所述阵列基板还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层连接所述漏极与所述低温多晶硅层，所述第二欧姆接触层用于降低所述漏极与所述低温多晶硅层之间的接触电阻。

另一方面本发明提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述各个实施方式中任意一种实施方式的阵列基板。

另一方面，本发明还提供了阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法包括：

提供一基板；