[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括呈矩阵分布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：

基板；

设置在所述基板同一表面的低温多晶硅层、源极、漏极、第一导电层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层，所述低温多晶硅层设置于所述基板的表面的中部，所述源极及所述漏极设置于所述低温多晶硅层的两侧，且所述源极的一端电连接所述低温多晶硅层的一端，所述漏极的一端电连接所述低温多晶硅层的另一端，所述漏极的另一端电连接所述第一导电层，所述第一欧姆接触层连接所述源极及所述低温多晶硅层，所述第一欧姆接触层覆盖所述源极的一端，所述第二欧姆接触层连接所述漏极与所述低温多晶硅层，所述第二欧姆接触层覆盖所述漏极的一端；

绝缘层，所述绝缘层设置于所述低温多晶硅层、所述源极、所述漏极以及所述第一导电层上；

栅极，所述栅极设置于所述绝缘层上且对应所述低温多晶硅层设置，所述低温多晶硅层的连接所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的边缘对齐于所述栅极的边缘；

钝化层，所述钝化层层叠设置于所述栅极上；以及

第二导电层，所述第二导电层设置于所述钝化层上且对应所述第一导电层设置，其中，所述第一导电层为像素电极，所述第二导电层为公共电极。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设置于所述基板的表面，所述低温多晶硅层、所述源极、所述漏极及所述第一导电层通过所述遮光层设置于所述基板的表面，且所述遮光层对应所述低温多晶硅层设置。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层层叠设置于所述遮光层上，所述低温多晶硅层、所述源极、所述漏极及所述第一导电层通过所述缓冲层及所述遮光层设置于所述基板的表面上。

4.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-3任意一项所述的阵列基板。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括：

提供一基板；

在所述基板的一个表面设置低温多晶硅层、源极、漏极以及第一导电层，所述低温多晶硅层设置于所述基板的表面的中部，所述源极及所述漏极设置于所述低温多晶硅层的两侧，且所述源极的一端电连接所述低温多晶硅层的一端，所述漏极的一端连接所述低温多晶硅层的另一端，所述漏极的另一端电连接所述第一导电层，所述低温多晶硅层的两端分别覆盖所述源极和所述漏极的一端；

形成绝缘层，所述绝缘层形成在所述低温多晶硅层、所述源极、所述漏极及所述第一导电层上；

形成栅极，所述栅极设置在所述绝缘层上；

由所述低温多晶硅层的覆盖所述源极的一端形成第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层连接所述源极及所述低温多晶硅层，所述第一欧姆接触层连接所述低温多晶硅层的边缘对齐所述栅极的边缘；

由所述低温多晶硅层的覆盖所述漏极的一端形成第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层连接所述漏极及所述低温多晶硅层，所述第二欧姆接触层连接所述低温多晶硅层的边缘对齐所述栅极的边缘；

形成钝化层，所述钝化层设置在所述栅极上；

形成第二导电层，所述第二导电层设置于所述钝化层上且对应所述第一导电层设置，其中，所述第一导电层为像素电极，所述第二导电层为公共电极。