[发明专利]晶圆级封装结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及晶圆级封装结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次地沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻来图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件。

通过不断减小最小部件尺寸，半导体工业不断地提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，这允许更多的组件集成到给定区域内。在一些情况下，这些较小的电子组件也需要比先前的封装件利用更小的面积的较小的封装件。

由于叠层封装(PoP)技术具有允许集成电路较密集地集成到较小整体封装件的能力，叠层封装(PoP)技术正变得越来越流行。在诸如智能手机的许多先进的手持设备中采用PoP技术。虽然PoP技术已经允许较小的封装件轮廓，但是总厚度的减小当前受到焊料球接合点高度以及邻近的接合点之间的距离(称为间距)的限制。有时使用诸如球栅阵列、连接盘栅格阵列、引脚阵列等的导电安装结构将管芯安装至中介板衬底或其他封装载体。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种方法，包括：将第一管芯的背侧表面附接至第一互连结构的第一侧；在所述第一互连结构的第一侧上方形成第一通孔，所述第一通孔连接至所述第一互连结构；在所述第一管芯的有源表面上形成第一电连接件，所述有源表面与所述背侧表面相对；用模制材料包封所述第一管芯和所述第一通孔；在所述模制材料、所述第一电连接件和所述第一通孔上方形成第二互连结构，所述第一电连接件和所述第一通孔连接至所述第二互连结构的第一侧；以及使用第二电连接件将第二管芯附接至所述第二互连结构的第二侧，所述第二互连结构的第二侧与所述第二互连结构的第一侧相对。

在上述方法中，其中，所述第一管芯是逻辑管芯，并且其中，所述第二管芯是宽输入/输出(I/O)管芯。

在上述方法中，其中，在所述第一互连结构的第一侧上方形成所述第一通孔包括：将导电引线的第一端接合至所述第一互连结构的第一侧；以及将所述导电引线切割为第一长度以形成所述第一通孔，切割的所述导电引线具有与所述第一端相对的第二端，所述第二端连接至所述第二互连结构的第一侧。

在上述方法中，其中，在所述第一互连结构的第一侧上方形成所述第一通孔包括：将导电引线的第一端接合至所述第一互连结构的第一侧；以及将所述导电引线切割为第一长度以形成所述第一通孔，切割的所述导电引线具有与所述第一端相对的第二端，所述第二端连接至所述第二互连结构的第一侧，其中，所述导电引线包括选自基本由铜、铝、镍、金、银、钯或它们的组合组成的组中的导电材料。

在上述方法中，其中，所述方法还包括：在用所述模制材料包封所述第一管芯和所述第一通孔之前，在所述第一电连接件和所述第一管芯的所述有源表面上方形成离型膜；以及在用所述模制材料包封所述第一管芯和所述第一通孔之后，去除所述离型膜以暴露所述第一电连接件和所述第一管芯的所述有源表面。

在上述方法中，其中，所述方法还包括：使用第三电连接件将封装件附接至所述第二互连结构的第二侧。

在上述方法中，其中，所述方法还包括：使用第三电连接件将封装件附接至所述第二互连结构的第二侧，其中，所述封装件包括一个或多个存储管芯的堆叠件，所述存储管芯通过所述第三电连接件和所述第二互连结构连接至所述第二管芯。

在上述方法中，其中，所述方法还包括：使用第三电连接件将封装件附接至所述第二互连结构的第二侧，其中，所述封装件包括一个或多个存储管芯的堆叠件，所述存储管芯通过所述第三电连接件和所述第二互连结构连接至所述第二管芯，其中，所述存储管芯包括低功耗双倍数据速率存储模块。

在上述方法中，其中，所述方法还包括：在所述第一互连结构的第二侧上形成第四电连接件，所述第一互连结构的第二侧与所述第一互连结构的第一侧相对。