[发明专利]一种多片碳化硅半导体材料制造装置

权利要求书

1.一种半导体材料生长制造装置，包括：主腔室，进气系统，石墨托，感应加热线圈，旋转系统和排气系统；所述进气系统用于向所述主腔室输入材料生长所需的气体；所述石墨托用于放置衬底材料，位于所述进气系统下方；所述感应加热线圈用于加热，位于所述石墨托下方；所述旋转系统与所述石墨托连接，用于带动所述石墨托进行旋转；所述排气系统用于向主腔室外部排出反应后的废气。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述主腔室为一圆柱形的不锈钢中空体，用于提供半导体材料外延生长的真空环境；所述主腔室内壁设置有可动保温墙，其中间形成样品生长室。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述可动保温墙为整体可动保温墙，或多扇独立可动保温墙。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述进气系统包括进气管道和气体喷嘴；所述进气管道下端连接所述气体喷嘴，所述气体喷嘴探入所述主腔室内部。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述气体喷嘴为不锈钢盘和其上螺旋状排列的圆形小孔构成。

6.根据权利要求4所述的装置，其中，所述进气管道由至少两层管道套管而成，其中外部套管与内部套管之间的通道所输送的气体用于限制所述内部套管的气体流向。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述石墨托为覆盖了碳化硅材料的压制石墨体；其上具有多个衬底槽，用于放置衬底片。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述旋转系统包括用来支撑石墨托的支架以及主腔室外部的旋转电机，所述支架与石墨托的下方连结，在所述电机带动下可带动所述石墨托进行旋转。

9.如权利要求8所述的装置，其中，所述支架为钼金属支架，其高度可调节。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述排气系统包括多根排气管道，分布在所述主腔室下端部的四周。