[发明专利]小间距PoP封装单体在审

专利信息
申请号: 201410759285.7 申请日: 2014-12-10
公开(公告)号: CN104538380A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 陈南南;王宏杰 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 殷红梅;刘海
地址: 214135 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 间距 pop 封装 单体
【权利要求书】:

1.一种小间距PoP封装单体,包括芯片、塑封材料和焊球(100);其特征是:所述焊球(100)包括铜核球(200),在铜核球(200)表面镀覆镀层钎料(300)。

2.如权利要求1所述的小间距PoP封装单体,其特征是:所述焊球(100)为椭球形、矩形柱形或圆柱形,铜核球(200)为椭球形、矩形柱形或圆柱形。

3.如权利要求1所述的小间距PoP封装单体,其特征是:所述封装单体包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片,芯片的正面与塑封材料的正面平齐,芯片的高度小于塑封材料的高度;在所述塑封材料的正面设置RDL层,RDL层中设置再布线金属走线层,再布线金属走线层上设置UBM层,再布线金属走线层连接UBM层和芯片上的电极,在UBM层上设置焊球。

4.如权利要求1所述的小间距PoP封装单体,其特征是:所述封装单体包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片和金属层,芯片的正面与塑封材料的正面平齐,芯片的高度小于塑封材料的高度;所述金属层的一表面与塑封材料的正面平齐,金属层的厚度小于塑封材料的高度;在所述塑封材料的正面设置RDL层,RDL层中设置再布线金属走线层,再布线金属走线层上设置UBM层,再布线金属走线层连接UBM层和芯片上的电极,在UBM层上设置焊球。

5.如权利要求1所述的小间距PoP封装单体,其特征是:所述封装单体包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片、金属层和金属柱,芯片的正面与塑封材料的正面平齐,芯片的高度小于塑封材料的高度;所述金属层的一表面与塑封材料的正面平齐,金属层的另一表面与金属柱的一端连接,金属柱的另一端与塑封材料的背面平齐;在所述塑封材料的正面设置RDL层,RDL层中设置再布线金属走线层,再布线金属走线层上设置UBM层,再布线金属走线层连接UBM层和芯片上的电极,在UBM层上设置焊球。

6.如权利要求1所述的小间距PoP封装单体,其特征是:所述封装单体包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片,芯片的背面与塑封材料的背面平齐,芯片的高度小于塑封材料的高度;在所述塑封材料的正面设置RDL层,RDL层中设置再布线金属走线层,再布线金属走线层上设置UBM层,再布线金属走线层连接UBM层和芯片上的电极,在UBM层上设置焊球。

7.如权利要求1所述的小间距PoP封装单体,其特征是:所述封装单体包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片和金属层,芯片的背面与塑封材料的背面平齐,芯片的高度小于塑封材料的高度;所述金属层的一表面与塑封材料的背面平齐,金属层的厚度小于塑封材料的高度;在所述塑封材料的正面设置RDL层,RDL层中设置再布线金属走线层,再布线金属走线层上设置UBM层,再布线金属走线层连接UBM层和芯片上的电极,在UBM层上设置焊球。

8.如权利要求1所述的小间距PoP封装单体,其特征是:所述封装单体包括塑封材料,塑封材料中塑封芯片、金属层和金属柱,芯片的背面与塑封材料的背面平齐,芯片的高度小于塑封材料的高度;所述金属层的一表面与塑封材料的背面平齐,金属层的另一表面与金属柱的一端连接,金属柱的另一端与塑封材料的正面平齐;在所述塑封材料的正面设置RDL层,RDL层中设置再布线金属走线层,再布线金属走线层上设置UBM层,再布线金属走线层连接UBM层和芯片上的电极,在UBM层上设置焊球。

9.如权利要求1所述的小间距PoP封装单体,其特征是:所述封装单体为基板PoP封装结构,包括基板,在基板上采用塑封材料塑封芯片,在基板的正面设置焊盘,在焊盘上设置焊球;所述塑封材料全部覆盖基板的背面。

10.如权利要求1所述的小间距PoP封装单体,其特征是:所述封装单体为基板PoP封装结构,包括基板,在基板上采用塑封材料塑封芯片,在基板的正面设置焊盘,在焊盘上设置焊球;所述塑封材料部分覆盖基板的背面。

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