[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底(10)，包括第一区域(11)和第二区域(12)；

凹陷部(40)，设置在所述第二区域(12)的表面上；

功能部件，设置在所述第一区域(11)上；以及

反熔丝结构，设置在所述第二区域(12)上，其中，

所述反熔丝结构包括导电部件及绝缘部件(20)，且所述绝缘部件(20)覆盖所述凹陷部(40)及部分所述第二区域(12)，

所述凹陷部(40)为多个分散的凹点，并且所述凹点的横截面为倒三角形，或

所述凹陷部(40)形成多个孔道结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述反熔丝结构设置在所述衬底的有源区中，所述导电部件包括设置在所述绝缘部件(20)表面上的栅极(30)，以及设置在所述衬底(10)中的源漏极(50)。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区的长度和宽度不小于25μm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，当所述半导体器件为闪存时，

所述第一区域(11)包括闪存区和逻辑区；

所述逻辑区上设置的所述功能部件为逻辑晶体管(80)，所述闪存区上设置的所述功能部件为闪存晶体管(70)。

5.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

提供包括第一区域(11)和第二区域(12)的衬底(10)；

在所述第二区域(12)的表面上形成凹陷部(40)；

在所述第一区域(11)上设置功能部件，并在所述第二区域(12)上形成反熔丝结构，所述形成反熔丝结构的步骤包括：

在具有所述凹陷部(40)的所述第二区域表面上形成绝缘部件(20)；以及

在所述绝缘部件(20)及所述第二区域上形成导电部件，

所述凹陷部(40)为多个分散的凹点，并且所述凹点的横截面为倒三角形，或

所述凹陷部(40)形成多个孔道结构。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述凹陷部(40)的步骤包括：

在所述衬底(10)的第一区域(11)和第二区域(12)上依次形成栅极介电层(210)和栅极材料预备层；

对所述栅极材料预备层进行减薄处理，形成栅极材料层(320)，并且在位于所述第二区域(12)中的所述栅极材料层(320)中形成凹陷结构(420)；以及

刻蚀去除位于所述第二区域(12)中的所述栅极材料层(320)和所述栅极介电层(210)，并在所述第二区域(12)的表面上形成所述凹陷部(40)。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，对所述栅极材料预备层进行减薄处理的步骤包括：

对所述栅极材料预备层进行化学机械抛光以形成栅极材料中间层(310)，并在所述第二区域(12)中的所述栅极材料中间层(310)中形成预凹陷结构(410)；以及

回蚀位于所述第二区域(12)中的所述栅极材料中间层(310)，形成所述栅极材料层(320)和所述凹陷结构(420)。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，当所述半导体器件为闪存时，

所述第一区域(11)包括闪存区和逻辑区；

在回蚀所述栅极材料中间层(310)的步骤中，回蚀位于所述第二区域(12)的所述栅极材料中间层(310)，以及回蚀所述闪存区中的所述栅极材料中间层(310)。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，回蚀所述栅极材料中间层(310)的步骤包括：

将光刻胶覆盖在所述逻辑区上；以及

对位于所述第二区域(12)的栅极材料中间层(310)，以及位于所述闪存区中的所述栅极材料中间层(310)进行回蚀。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，回蚀所述栅极材料中间层(310)之后，位于所述闪存区的所述栅极材料层(320)厚度为30～50nm，位于所述逻辑区的所述栅极材料层(320)厚度为60～70nm，位于所述第二区域(12)的所述栅极材料层(320)厚度为30～42nm。