[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。 

背景技术

具有双层ITO(氧化铟锡)电极设计的阵列基板中，第一层ITO电极作为公共(COM)电极，第二层ITO电极作为像素电极，第一层ITO电极与薄膜晶体管(TFT)的源漏电极之间采用树脂材料作为钝化层。出于树脂粘附性及TFT特性考虑，需要在树脂材料涂覆前沉积一定厚度的氮化硅，作为缓冲层。在阵列基板的非显示区域，由于树脂与栅极绝缘层及氮化硅层的粘附力度有限，容易发生剥落不良现象。为解决此问题，可将非显示区域的树脂做挖空处理。另外，为保证第一层ITO电极通过钝化层上的过孔与位于下层的COM线搭接，需要在ITO沉积之前将过孔中的氮化硅缓冲层干法刻蚀掉，以保证连接有效。由于需要一定量的氮化硅过刻量，若直接进行干法刻蚀，在没有钝化层保护的非显示区域的有源层很容易被损伤，导致驱动失效。 

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，在不损伤阵列基板的非显示区域的有源层的前提下，实现缓冲层的刻蚀。 

为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该阵列基板具有显示区域和非显示区域，所述方法包括： 

在所述显示区域和非显示区域形成有源层以及覆盖所述有源层的缓冲层； 

在所述显示区域形成第一钝化层以及贯穿所述第一钝化层的过孔； 

在所述非显示区域形成刻蚀保护层，所述刻蚀保护层覆盖所述非显示区域 的有源层及其上方的缓冲层； 

采用刻蚀工艺刻蚀掉未被所述第一钝化层和所述刻蚀保护层覆盖的缓冲层。 

优选地，所述刻蚀保护层为光刻胶图形，所述在所述非显示区域形成刻蚀保护层的步骤包括： 

在所述显示区域和非显示区域涂覆光刻胶，并通过构图工艺形成包括覆盖所述非显示区域的有源层的光刻胶图形。 

优选地，所述通过构图工艺形成包括覆盖所述非显示区域中的有源层的光刻胶图形的步骤包括： 

使用与所述有源层相同的掩膜板，对所述光刻胶进行曝光并显影，形成包括覆盖所述非显示区域的有源层的光刻胶图形以及覆盖所述显示区域的有源层的光刻胶图形。 

优选地，所述采用刻蚀工艺刻蚀掉未被所述第一钝化层和所述刻蚀保护层覆盖的缓冲层的步骤之后还包括： 

剥离所述光刻胶图形。 

优选地，所述在所述显示区域和非显示区域形成缓冲层的步骤之前包括： 

在所述显示区域和非显示区域形成栅金属层的图形，位于所述显示区域的栅金属层的图形包括栅极和公共电极线的图形； 

在所述显示区域和非显示区域形成栅绝缘层，并在对应所述公共电极线的位置形成贯穿所述栅绝缘层的过孔； 

在所述显示区域和非显示区域形成有源层的图形； 

在所述显示区域和非显示区域形成源漏金属层的图形，位于所述显示区域的源漏金属层的图形包括源漏极和源漏金属连接部的图形，其中，所述源漏金属连接部位于所述公共电极线上方，通过贯穿所述栅绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。 

优选地，所述采用刻蚀工艺刻蚀掉未被所述第一钝化层和所述刻蚀保护层覆盖的缓冲层时，在所述公共电极线位置形成贯穿所述第一钝化层和缓冲层的第一过孔，在所述显示区域的源极或漏极位置形成贯穿所述第一钝化层和缓冲层的第二过孔； 

所述采用刻蚀工艺刻蚀掉未被所述第一钝化层和所述刻蚀保护层覆盖的缓冲层的步骤之后还包括： 

在所述显示区域形成公共电极，所述公共电极通过所述第一过孔与所述源漏金属连接部连接； 

在所述显示区域形成第二钝化层，并所述显示区域的源极或漏极位置形成贯穿所述第二钝化层的过孔，贯穿所述第二钝化层的过孔与所述第二过孔连通，形成第三过孔； 

在所述显示区域形成位于像素电极，所述像素电极通过所述第三过孔与位于所述显示区域的源极或漏极连接。 

本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述阵列基板具有显示区域和非显示区域，所述薄膜晶体管阵列基板包括： 

位于所述显示区域和非显示区域的有源层； 

位于所述显示区域的第一缓冲层和位于所述非显示区域且覆盖所述非显示区域的有源层的第二缓冲层； 

位于所述显示区域的第一钝化层，所述第一钝化层上具有贯穿所述第一钝化层和所述第一缓冲层的过孔。 

优选地，所述薄膜晶体管阵列基板具体包括： 

衬底基板；