[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置是一种平面超薄的显示装置，其具有体积小，功耗低、无辐射等特点，应用十分广泛。

具体地，薄膜晶体管液晶显示装置包括阵列基板，示例性地，阵列基板包括衬底基板以及设置于衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线、薄膜晶体管和像素电极等结构。具体地，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其中，栅极绝缘层位于栅极和有源层之间，栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分，以使得栅线和数据线交叉位置处栅线和数据线之间形成的寄生电容较小，进而使得薄膜晶体管液晶显示装置的能耗较小。

发明人发现，由于栅极绝缘层的厚度较大，使得薄膜晶体管的开态电流较小。为了使薄膜晶体管具有较大的开态电流，通常薄膜晶体管的沟道的宽长比比较大，进而导致薄膜晶体管的尺寸较大，不利于提高薄膜晶体管液晶显示装置的解析度、分辨率和开口率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在保证寄生电容不增大的前提下，提高薄膜晶体管的开态电流，进而有利于提高显示装置的解析度、分辨率和开口率。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线围成像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分，所述栅极位于所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分之间，所述第二栅极绝缘部分位于所述栅极和所述有源层之间；所述阵列基板还包括位于所述栅线和所述数据线交叉位置处的导电衬垫，位于所述栅线两侧的所述栅极绝缘层上设置有对应于所述导电衬垫的第一过孔，所述数据线通过所述第一过孔与所述导电衬垫连接。

沿垂直于所述栅线的方向上，所述导电衬垫的尺寸大于所述栅线的尺寸。

所述薄膜晶体管处的所述第一栅极绝缘部分、所述栅极、所述第二栅极绝缘部分、所述有源层、同层设置的所述源极和漏极沿远离所述衬底基板的方向上依次设置于所述衬底基板上；

所述栅线和所述数据线交叉位置处的所述导电衬垫、所述第一栅极绝缘部分、所述栅线、所述第二栅极绝缘部分和所述数据线沿远离所述衬底基板的方向上依次设置于所述衬底基板上。

所述薄膜晶体管处的同层设置的所述源极和漏极、所述有源层、所述第二栅极绝缘部分、所述栅极、所述第一栅极绝缘部分沿远离所述衬底基板的方向上依次设置于所述衬底基板上，所述数据线通过所述栅极绝缘层上的第二过孔与所述源极连接；

所述栅线和所述数据线交叉位置处的所述导电衬垫、所述第二栅极绝缘部分、所述栅线、所述第一栅极绝缘部分和所述数据线依次设置于所述衬底基板上。

所述第二栅极绝缘部分的介电常数大于所述第一栅极绝缘部分的介电常数。

所述第一栅极绝缘部分的厚度为所述第二栅极绝缘部分的厚度为

本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板的栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分，其中栅极位于第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分之间，第二栅极绝缘部分位于栅极和有源层之间，进而可以有效提高薄膜晶体管的开态电流。另外，阵列基板还包括位于栅线和数据线交叉位置处的导电衬垫，位于栅线两侧的栅极绝缘层上设置有对应于导电衬垫的第一过孔，数据线通过第一过孔与导电衬垫连接，具有此结构的阵列基板上的寄生电容的大小与现有技术中寄生电容的大小相同，因此，本发明实施例提供的阵列基板能够在保证寄生电容不增大的前提下，提高薄膜晶体管的开态电流，进而有利于提高显示装置的解析度、分辨率和开口率。

本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括以上任一种实施方式所述的阵列基板。

为了进一步解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，采用如下技术方案：

一种阵列基板的制作方法包括：

在衬底基板上形成栅线、栅极、栅极绝缘层、有源层、数据线、源极、漏极和导电衬垫；形成所述栅极绝缘层包括形成第一栅极绝缘部分和形成第二栅极绝缘部分；

所述栅极位于所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分之间，所述第二栅极绝缘部分位于所述栅极和所述有源层之间；