[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201410477053.2 申请日: 2014-09-18
公开(公告)号: CN104465591B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 塚越功二 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;姜甜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体芯片 承载区域 半导体装置 倒棱锥 凹部 高可靠性 相反侧 岛部 外周 平行 承载 配置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具有经由绝缘膏粘接半导体芯片的岛部,其特征在于:在所述岛部的表面的半导体芯片承载区域设有多个倒棱锥形状的凹部,从所述倒棱锥形状的凹部的头顶点向上方延伸的垂直线和向所述半导体芯片承载区域的外侧的开口线所成的第一开口角度,小于所述垂直线和向所述半导体芯片承载区域的内侧的开口线所成的第二开口角度,

所述倒棱锥形状的凹部为倒正三棱锥。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:所述半导体芯片承载区域为矩形,在所述半导体芯片承载区域的四角设有具有方锤的四角锥即所述凹部,所述方锤具有风筝式四边形的底面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:与半导体芯片承载区域的中心附近相比,所述倒棱锥形状的凹部在所述半导体芯片承载区域的外周附近配置得更密。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:所述倒棱锥形状的凹部配置在所述半导体芯片承载区域的外缘部。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:所述岛部具有多个所述半导体芯片承载区域。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:构成所述岛部的材料为金属、树脂、陶瓷、或者敷金属的树脂的任一种。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾普凌科有限公司,未经艾普凌科有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410477053.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top