[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：准备多个被处理物，所述多个被处理物包括配线基板、搭载在所述配线基板上的半导体芯片、以及以将所述半导体芯片密封的方式设置在所述配线基板上的密封树脂层；

准备托盘，所述托盘包括多个被处理物收纳部、以及分别设置在所述多个被处理物收纳部内的于底部不包含贯通部分的凹陷部；

以将在所述配线基板上搭载着所述半导体芯片的面设为上的情形时的所述密封树脂层的上表面及侧面与所述配线基板的侧面的至少一部分露出的方式，将所述被处理物分别配置在所述托盘的所述多个被处理物收纳部内；以及

将收纳着所述多个被处理物的所述托盘载置在溅镀装置的平台上，且对所述多个被处理物溅镀金属材料，由此形成覆盖所述密封树脂层的上表面及侧面与所述配线基板的侧面的至少一部分的导电性屏蔽层；并且

所述被处理物收纳部包含定位部件，所述定位部件具有将所述被处理物的侧面定位的2个第1楔形部、以及设置在所述2个第1楔形部间的凸部；

所述2个第1楔形部的前端以对应于所述被处理物的侧面的外形形状，并且与所述被处理物的侧面相接来定位的方式设置，所述第1楔形部相对于配置所述被处理物的所述被处理物收纳部内的底面以35～50度的范围倾斜；

所述凸部对应于所述被处理物的侧面的至少一边，设置在从所述第1楔形部的前端的位置后退的位置。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：准备多个被处理物，所述多个被处理物包括配线基板、搭载在所述配线基板上的半导体芯片、以及以将所述半导体芯片密封的方式设置在所述配线基板上的密封树脂层；

准备托盘，所述托盘包括多个被处理物收纳部、以及分别设置在所述多个被处理物收纳部内的于底部包含贯通部分的凹陷部；

以将在所述配线基板上搭载着所述半导体芯片的面设为上的情形时的所述密封树脂层的上表面及侧面与所述配线基板的侧面的至少一部分露出的方式，将所述被处理物分别配置在所述托盘的所述多个被处理物收纳部内；以及

将收纳着所述多个被处理物的所述托盘于至少对应上述贯通部分的区域隔着抗附着板而载置在溅镀装置的平台上，且对所述多个被处理物溅镀金属材料，由此形成覆盖所述密封树脂层的上表面及侧面与所述配线基板的侧面的至少一部分的导电性屏蔽层；并且

所述被处理物收纳部包含定位部件，所述定位部件具有将所述被处理物的侧面定位的2个第1楔形部、以及设置在所述2个第1楔形部间的凸部；

所述2个第1楔形部的前端以对应于所述被处理物的侧面的外形形状，并且与所述被处理物的侧面相接来定位的方式设置，所述第1楔形部相对于配置所述被处理物的所述被处理物收纳部内的底面以35～50度的范围倾斜；

所述凸部对应于所述被处理物的侧面的至少一边，设置在从所述第1楔形部的前端的位置后退的位置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:其中所述被处理物收纳部还包含：凹部，具有比所述被处理物更大的矩形的平面形状；以及壁状部，以形成所述凹部的方式包围所述凹部的周围的至少一部分；所述定位部件的所述第1楔形部是设置在所述壁状部，并且向所述凹部的内侧突出。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:其中所述托盘是在下表面侧包含包括以与所述壁状部对应的方式设置的第2楔形部的所述被处理物的位置修正部，

在将多个所述托盘堆积时，利用所述位置修正部的所述第2楔形部修正收纳在下段侧的托盘的所述被处理物的位置。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:其中所述被处理物还包含凸块电极，该凸块电极设置在所述配线基板的与搭载着所述半导体芯片的面为相反侧的面，

所述被处理物是在将所述凸块电极收容在所述凹陷部内的状态下，配置在所述被处理物收纳部内。