[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410444315.5 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104716051B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 渡部武志;井本孝志;高野勇佑;本间庄一;涩谷克则 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：是使用密封树脂将搭载着多个半导体元件的配线基板的搭载着所述半导体元件的面与多个所述半导体元件密封；
切断被密封的所述配线基板而分离成各个半导体装置，其中所述半导体装置的所述配线基板的部分的边在切断面包含露出的配线；
加热分离后的所述半导体装置；
对加热后的所述半导体装置的所述密封树脂与所述配线基板的露出的所述切断面，通过金属溅镀形成屏蔽层，其中所述树脂包含环氧树脂或酚树脂，且所述半导体装置的加热是在高于100℃且250℃以下进行；
在所述半导体装置的边露出的所述配线基板的部分的面上成长氧化膜，所述氧化膜的厚度为未达50nm；
所述屏蔽层的厚度为0.1～8μm的范围。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述半导体装置的加热是在氧浓度低于大气氧浓度的环境中加热。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述半导体装置的加热是在氧浓度1％以下的环境中加热。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述屏蔽层包含Cu。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在分割成各个半导体装置之后、形成所述屏蔽层之前，在所述密封树脂表面进行刻印。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
