[发明专利]具有电磁干扰屏蔽层的半导体封装体、其制造方法

说明书

提供了半导体封装体。在一些实施例中，所述半导体封装体包括：衬底；第一接地线，其包括沿着衬底的边缘设置的第一内部接地线、和在第一内部接地线与衬底的侧壁之间的多个第一延伸接地线；芯片，其在衬底上；模制构件，其被设置于衬底上以覆盖芯片；以及电磁干扰EMI屏蔽层，其覆盖模制构件，EMI屏蔽层沿着衬底的侧壁延伸，并且接触多个第一延伸接地线的端部。多个第一延伸接地线包括暴露在衬底的侧壁处的端部。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年12月23日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0160949的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体封装体，并且更具体地涉及具有电磁干扰(EMI)屏蔽层的半导体封装体、其制造方法、包括其的电子系统以及包括其的存储卡。

背景技术

当从电子电路或电子系统产生的高频噪声影响其它电路或其他系统的性能时，电磁干扰(EMI)发生。电磁干扰也可能对人类有不利影响。通常情况下，试图抑制电磁干扰包括设计电子电路(或电子系统)来防止高频噪声的产生、屏蔽电子电路(或电子系统)来防止高频噪声的传播等。

发明内容

各种实施例涉及具有EMI屏蔽层的半导体封装体、其制造方法、包括其的电子系统以及包括其的存储卡。

根据一些实施例，一种半导体封装体，包括：衬底；第一接地线，其包括沿着衬底的边缘设置的第一内部接地线、和在第一内部接地线与衬底的侧壁之间的多个第一延伸接地线；芯片，其在衬底上；模制构件，其设置在衬底上以覆盖芯片；以及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其覆盖模制构件，EMI屏蔽层沿着衬底的侧壁延伸，并且接触多个第一延伸接地线的端部。多个第一延伸接地线包括暴露在衬底的侧壁处的端部。

根据进一步的实施例，一种半导体封装体包括：衬底；第一接地线，其包括沿着衬底的边缘设置的第一内部接地线、和在第一内部接地线与衬底的侧壁之间延伸的多个第一延伸接地线；第二接地线，其包括沿着衬底的边缘设置的第二内部接地线、和在第二内部接地线和衬底的侧壁之间延伸的多个第二延伸接地线；芯片，其在衬底上；模制构件，其被设置在衬底上以覆盖芯片；以及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其覆盖模制构件且沿着衬底的侧壁延伸。多个第一延伸接地线包括暴露在衬底的侧壁处的端部。多个第二延伸接地线包括暴露在衬底的侧壁处的端部。EMI屏蔽层接触多个第一延伸接地线的端部和多个第二延伸接地线的端部。

根据进一步的实施例，一种半导体封装体包括：衬底；第一接地线，其包括沿着衬底的边缘设置的第一内部接地线、和在第一内部接地线与衬底的侧壁之间延伸的多个第一延伸接地线；第二接地线，其包括沿着衬底的边缘设置的第二内部接地线、和在第二内部接地线与衬底的侧壁之间延伸的多个第二延伸接地线；第三接地线，其包括沿着衬底的边缘设置的第三内部接地线、和在第三内部接地线与衬底的侧壁之间延伸的多个第三延伸接地线；芯片，其在衬底上；模制构件，其被设置在衬底上以覆盖芯片；以及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其覆盖模制构件且延伸至在衬底的侧壁上。多个第一延伸接地线包括暴露在衬底的侧壁处的端部。多个第二延伸接地线包括暴露在衬底的侧壁处的端部。多个第三延伸接地线包括暴露在衬底的侧壁处的端部。EMI屏蔽层接触多个第一延伸接地线的端部、多个第二延伸接地线的端部以及多个第三延伸接地线的端部。

根据进一步的实施例，一种制造半导体封装体的方法包括以下步骤：提供具有多个接地线的衬底条，其中多个接地线包括多个横向布置的内部接地线、和在多个内部接地线之间延伸以将多个内部接地线彼此连接的多个延伸接地线。芯片被附接至衬底条的顶表面。模制层形成在衬底条的顶表面上以覆盖芯片。模制层和衬底条被分割以将衬底条分成具有侧壁的多个衬底，以将模制层分成多个模制构件，以及暴露出衬底的侧壁处的延伸接地线的端部。形成电磁干扰(EMI)屏蔽层以覆盖模制构件中的每个，并且沿着每个衬底的侧壁延伸。EMI屏蔽层接触延伸接地线的暴露出的端部。