[发明专利]半导体制造装置及半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其特征在于，具有：

第1载物台，其载置半导体芯片，对所述半导体芯片的位置进行修正；

第2载物台，其对安装所述半导体芯片的对象物进行支持；

移送单元，其将从所述第1载物台提举的所述半导体芯片向所述第2载物台进行移送，并在所述对象物载置所述半导体芯片；

检测器，其安装于所述第1载物台及所述第2载物台的至少一方，并对来自所述半导体芯片的弹性波进行检测；和

控制单元，其在根据在所述检测器的所述弹性波的检测结果而判定为产生所述半导体芯片中的裂纹的情况下，停止所述半导体芯片向所述第1载物台或所述第2载物台的移送。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述控制单元具有判定单元，该判定单元相应于在所述检测器的所述弹性波的检测结果，对所述半导体芯片中的裂纹的产生进行判定。

3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述判定单元在检测到的所述弹性波的能量超过预先设定的阈值的情况下，判定为产生所述裂纹。

4.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于：

进一步具有对所述判定单元中的判定结果进行显示的显示单元。

5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述检测器安装于所述第1载物台，对向所述第1载物台载置所述半导体芯片时的所述弹性波的能量和从所述第1载物台提举所述半导体芯片时的所述弹性波的能量进行检测。

6.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述检测器安装于所述第1载物台；

所述第1载物台使用金属构件而构成。

7.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述检测器安装于所述第2载物台，对向所述对象物载置所述半导体芯片时的所述弹性波的能量进行检测。

8.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述检测器安装于所述第2载物台；

所述第2载物台使用金属构件而构成。

9.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述第2载物台具备：

加热单元，其对所述对象物进行加热，和

传播构件，其向离开所述加热单元的位置传播所述弹性波；

所述检测器安装于所述传播构件。

10.根据权利要求9所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述传播构件使用金属构件而构成。

11.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述检测器具备除去对所述弹性波的能量进行检测时的噪声的滤波器。

12.一种半导体制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

对载置于第1载物台的半导体芯片的位置进行修正，

从所述第1载物台提举所述半导体芯片，向对安装所述半导体芯片的对象物进行支持的第2载物台移送所述半导体芯片，

在所述对象物载置所述半导体芯片；

在所述第1载物台及所述第2载物台的至少一方中，对来自所述半导体芯片的弹性波进行检测；

相应于所述弹性波的检测结果，对所述半导体芯片中的裂纹的产生进行判定；以及

在判定为产生所述半导体芯片中的裂纹的情况下，停止所述半导体芯片向所述第1载物台或所述第2载物台的移送。

13.根据权利要求12所述的半导体制造方法，其特征在于：

单片化且移送到所述第1载物台的所述半导体芯片载置于所述第1载物台。

14.根据权利要求13所述的半导体制造方法，其特征在于：

在相应于在所述第1载物台的所述弹性波的检测结果而判定为产生所述半导体芯片中的裂纹的情况下，停止向所述第1载物台的所述半导体芯片的移送。

15.根据权利要求12所述的半导体制造方法，其特征在于：

在相应于在所述第2载物台的所述弹性波的检测结果而判定为产生所述半导体芯片中的裂纹的情况下，停止从所述第1载物台向所述第2载物台的所述半导体芯片的移送。