[发明专利]分段键合焊盘及其制造方法

说明书

技术领域

本发明总体涉及一种半导体器件，并且更具体地涉及分段键合焊盘及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于多种电子应用和其他应用中。半导体器件除了其他之外包括集成电路或分立器件，其通过在半导体晶片之上沉积一种或多种类型的材料薄膜、并且图案化材料薄膜以形成集成电路而形成在半导体晶片上。

半导体器件通常被封装在陶瓷或塑料本体内以保护半导体器件免受物理损伤或腐蚀。封装也支撑了将也称作裸片或芯片的半导体器件连接至封装外部的其他器件所需的电接触。取决于半导体器件的类型以及被封装的半导体器件的预期用途，许多不同类型的封装是可用的。

使用一个或多个接触焊盘或键合焊盘形成在半导体器件与其他器件之间的电连接。这些键合焊盘布置在半导体器件上。引线键合可以用于将半导体器件的键合焊盘电连接至芯片外部的部件。例如，在一些应用中，引线键合用于将半导体器件的键合焊盘连接至引线框架或衬底，除了其他之外。

取决于所实施的半导体器件的类型，许多不同类型的接线键合技术可以用于在部件之间建立这些电连接。可以使用球形键合、超声键合(例如楔形键合)或其他类型接线键合。

发明内容

根据本发明的实施例，一种半导体器件包括设置在衬底的第一侧处的第一键合焊盘。第一键合焊盘包括第一多个焊盘区段。第一多个焊盘区段中的至少一个焊盘区段与第一多个焊盘区段中的其余焊盘区段电隔离。

根据本发明的备选实施例，一种半导体器件包括设置在衬底的第一侧处的第一键合焊盘。第一键合焊盘包括第一部分和第二部分。第一键合焊盘的第一部分电耦合至衬底，并且第一键合焊盘的第二部分与衬底电隔离。

根据本发明的另一备选实施例，一种半导体器件包括具有第一侧的半导体芯片，以及设置在半导体芯片的第一侧处的第一键合焊盘。第一键合焊盘包括包含第一多个焊盘区段的第一部分和第二部分。第一多个焊盘区段中的焊盘区段与第一多个焊盘区段中的其余焊盘区段电隔离。第一外部互连接触第一键合焊盘的第一部分。

根据本发明的又一备选实施例，一种半导体器件包括具有第一侧的半导体芯片，以及设置在半导体芯片的第一侧处的第一键合焊盘。第一键合焊盘包括第一部分、以及与第一部分分隔开的第二部分。第一键合焊盘的第一部分电耦合至衬底，并且第一键合焊盘的第二部分与衬底电隔离。第一外部互连接触第一部分。

根据本发明的又一备选实施例，一种形成半导体器件的方法包括：在衬底之上形成隔离层，图案化隔离层以形成第一多个开口，以及通过采用导电材料至少部分地填充第一多个开口而形成包括多个键合焊盘区段的键合焊盘。

附图说明

为了更完整地理解本发明及其优点，现在参考结合了附图的以下描述，其中：

图1包括图1A和图1B，其中图1A示出了根据本发明实施例的半导体器件，而图1B示出了半导体器件性能的改进；

图2包括图2A和图2B，示出了根据本发明的实施例的半导体器件，其中图2A示出了具有键合焊盘的半导体芯片的顶视图，而图2B示出了具有键合焊盘的有源和无源区域的顶视图；

图3示出了根据本发明实施例的另一半导体器件；

图4包括图4A至图4C，示出了根据本发明实施例的半导体器件。图4A和图4B示出了半导体芯片的截面图，而图4C示出了半导体芯片的顶视图。

图5示出了根据本发明备选实施例的又一半导体器件；

图6示出了根据本发明备选实施例的又一半导体器件；

图7示出了根据本发明备选实施例的又一半导体器件；

图8包括图8A至图8F，示出了根据本发明实施例的用于制造半导体结构的一种方法；

图9包括图9A至图9D，示出了根据本发明实施例的用于制造半导体结构的另一方法；

图10包括图10A至图10D，示出了根据本发明实施例的半导体器件的键合焊盘的不同配置；

图11包括图11A和图11B，示出了根据本发明实施例的显示了夹具互连的半导体器件；

图12示出了根据本发明备选实施例的晶片级半导体封装；

图13包括图13A至图13D，示出了根据本发明实施例的用作半导体器件的焊料焊盘的键合焊盘的备选配置。

不同附图中对应的数字和符号通常指代对应的部件，除非另外说明。绘制附图以清晰的显示实施例的相关方面并且未必按照比率绘制。

具体实施方式