[发明专利]中介板及其制法

说明书

技术领域

本发明提供一种中介板及其制法，尤指一种能防止翘曲的具有基板本体空穴或介电层开口的中介板及其制法。

背景技术

由于晶片功能日趋强大，造成导电凸块日益密集与高密度布线，遂产生了各种中介板的技术。

请参照图1，其为现有的中介板1的剖视图，该中介板1包括基板本体10、第一介电层13、线路层14、绝缘保护层15、多个电性连接垫19及第二介电层18。例如为硅的基板本体10具有相对的第一表面10a及第二表面10b，且具有贯通该第一表面10a及第二表面10b的多个导电穿孔11，而该些导电穿孔11与该基板本体10之间形成有绝缘层12。

如上所述的第一介电层13形成于该第一表面10a上且露出该些导电穿孔11，而该线路层14形成于该第一表面10a及第一介电层13上且具有相连的线路141及电性接点142，该线路141电性连接该些导电穿孔11，且该第一介电层13及线路层14上形成有外露该电性接点142的绝缘保护层15，而该电性接点142上可形成例如为凸块底下金属层(underbumpmetallurgy，简称UBM)的金属层16，该金属层16上可形成有回焊处理过的导电凸块17。

如上所述的可例如为凸块底下金属层的多个电性连接垫19形成于该第二表面10b上且电性连接该些导电穿孔11。而如上所述的第二介电层18形成于该第二表面10b上且对应外露出该些电性连接垫19，且该些电性连接垫19上可形成有回焊处理过的导电凸块17。

在形成现有的中介板时，由于经常使用高温制程(如回焊)，且因中介板的各层材料的热膨胀系数(Coefficientofthermalexpansion，CTE)差异甚大(例如：基板本体的硅的CTE为2.6ppm/℃、绝缘层的二氧化硅的CTE为0.5ppm/℃、导电穿孔与线路层的铜的CTE为16.7ppm/℃及第一介电层与第二介电层的聚酰亚胺(polyimide，PI)或环苯丁烯(Bis-Benzo-Cyclo-Butene，BCB)的CTE分别为35及3ppm/℃)，故在高温制程中及冷却后，常因热膨胀不均造成中介板翘曲的问题，从而使后续制程难以对位，而大大地降低中介板的生产良率。

发明内容

有鉴于上述现有技术的缺失，本发明的目的为提供一种中介板及其制法，大为降低中介板的翘曲现象。

本发明的中介板包括：具有相对的第一表面及第二表面且具有基板本体空穴及多个导电穿孔的基板本体，该基板本体空穴及导电穿孔贯通该第一表面及第二表面；形成于该第一表面上且外露出该些导电穿孔的第一介电层；形成于该第一介电层上且电性连接该些导电穿孔的线路层；形成于该第二表面上且电性连接该些导电穿孔的多个电性连接垫；以及形成于该第二表面上且对应外露出该些电性连接垫的第二介电层。

本发明还提供一种中介板，包括：具有相对的第一表面及第二表面且具有贯通该第一表面及第二表面的多个导电穿孔的基板本体；形成于该第一表面上且外露出该些导电穿孔的第一介电层，该第一介电层具有贯穿的第一介电层开口；形成于该第一介电层上且电性连接该些导电穿孔的线路层；形成于该第二表面上且电性连接该些导电穿孔的多个电性连接垫；以及形成于该第二表面上且对应外露出该些电性连接垫的第二介电层。

本发明又提供一种中介板，包括：具有相对的第一表面及第二表面且具有贯通该第一表面及第二表面的多个导电穿孔的基板本体；形成于该第一表面上且外露出该些导电穿孔的第一介电层；形成于该第一介电层上且电性连接该些导电穿孔的线路层；形成于该第二表面上且电性连接该些导电穿孔的多个电性连接垫；以及形成于该第二表面上且对应外露出该些电性连接垫的第二介电层，该第二介电层并具有贯穿的第二介电层开口。

本发明又提供一种中介板的制法，包括：于具有相对的第一表面及第二表面的基板本体的该第一表面形成多个第一凹槽与第二凹槽，并于各该些第一凹槽中形成导电穿孔；于该基板本体的第一表面上形成线路层与第一介电层，该线路层形成于该第一表面上且电性连接该些导电穿孔，该第一介电层形成于该第一表面上且外露出该线路层；从该基板本体的第二表面侧移除该基板本体的部分厚度，以外露该些第二凹槽与导电穿孔的一端；以及于该第二表面上形成第二介电层与电性连接该些导电穿孔的多个电性连接垫，而该第二介电层对应外露出该些电性连接垫，且该些第二凹槽构成贯通该第一表面及第二表面的基板本体空穴。