[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管(“OLED”)显示器及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管(“OLED”)显示器包括两个电极和被设置在它们之间的有机发光构件。从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发光构件中结合，以形成激子，并且随着激子释放能量，光被发射。

为了最小化在OLED显示器的制造方法中使用的掩模的数量，已经开发出了有源图案跳过(“APS”)方法，APS方法是一种制造OLED显示器的方法，其中半导体层不被蚀刻，而是被保持在整个表面上，从而当形成半导体层时不使用掩模，使得掩模的数量可以被有效地减小。

发明内容

在有源图案跳过(“APS”)方法中，在预定方向上延伸的扫描线重叠下面的半导体，使得寄生电容产生，这样可能增加电阻-电容(“RC”)延迟。

本发明提供了通过最小化扫描线和半导体层之间的寄生电容减少了RC延迟的有机发光二极管(“OLED”)显示器及其制造方法。

根据一个示例性实施例的OLED显示器包括：基底；被设置在基底上并包括本征多晶半导体部件和掺杂多晶半导体部件的半导体层；覆盖半导体层的栅绝缘层；被设置在栅绝缘层上并传输扫描信号的扫描线；与扫描线绝缘并相交并传输数据信号的数据线；被连接到扫描线和数据线的薄膜晶体管(“TFT”)；以及被连接到TFT的OLED，其中本征多晶半导体部件被定位在扫描线附近的区域。

在一个示例性实施例中，扫描线可以包括：被设置在栅绝缘层上的主扫描线、以及被设置在主扫描线上并接触主扫描线的辅助扫描线。

在一个示例性实施例中，数据线可以包括被设置在栅绝缘层上的辅助数据线、以及被设置在辅助数据线上并接触辅助数据线的主数据线。

在一个示例性实施例中，掺杂多晶半导体部件可以包括被设置在扫描线和数据线的交叉区域的交叉半导体部件，交叉半导体部件可以包括彼此分离并彼此面对的第一交叉半导体部件和第二交叉半导体部件。

在一个示例性实施例中，OLED显示器可以进一步包括被设置在交叉半导体部件和主扫描线上的交叉层间绝缘层图案，交叉层间绝缘层图案可以彼此绝缘主扫描线和主数据线。

在一个示例性实施例中，交叉层间绝缘层图案可以具有包括交叉的横向部件和纵向部件的交叉形状，横向部件可以接触主扫描线并被设置在主扫描线上，纵向部件可以重叠交叉半导体部件。

在一个示例性实施例中，辅助扫描线的分离部分可以通过在交叉区域的主扫描线被连接，辅助数据线的分离部分可以通过在交叉区域的主数据线被连接。

在一个示例性实施例中，本征多晶半导体部件可以被定位在主扫描线和辅助数据线的下方。

在一个示例性实施例中，掺杂多晶半导体部件可以进一步包括被设置在TFT处的晶体管半导体部件，晶体管半导体部件可以包括彼此分离并彼此面对的源区和漏区。

在一个示例性实施例中，OLED显示器可以进一步包括部分重叠晶体管半导体部件的晶体管层间绝缘层图案以及部分重叠晶体管半导体部件的源电极和漏电极。

在一个示例性实施例中，根据一个示例性实施例的制造OLED显示器的方法包括：在基底上顺序形成包括本征多晶半导体的半导体层、栅绝缘层和栅极层；掺杂半导体层，以提供掺杂多晶半导体部件和本征多晶半导体部件；在掺杂多晶半导体部件和栅极层上形成层间绝缘层图案；在栅极层和层间绝缘层图案上形成数据层；图案化数据层，以提供辅助扫描线和主数据线；以及图案化被设置在辅助扫描线和主数据线附近的区域的栅极层，以暴露本征多晶半导体部件。

在一个示例性实施例中，提供掺杂多晶半导体部件可以包括在辅助扫描线和主数据线的交叉区域设置交叉半导体部件。

在一个示例性实施例中，形成层间绝缘层图案可以包括在交叉区域设置交叉层间绝缘层图案。

在一个示例性实施例中，交叉半导体部件和本征多晶半导体部件可以通过图案化栅极层以限定栅极开口并通过栅极开口掺杂半导体层被设置。

在一个示例性实施例中，制造OLED显示器的方法可以进一步包括：在辅助扫描线下方设置主扫描线，并且可以在主数据线下方设置辅助数据线。

在一个示例性实施例中，制造OLED显示器的方法可以进一步提供：形成包括主扫描线和辅助扫描线的扫描线以及包括主数据线和辅助数据线的数据线，并将TFT连接到扫描线和数据线。

在一个示例性实施例中，制造OLED显示器的方法可以进一步包括：形成被连接到TFT的OLED。