[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

基底；

被设置在所述基底上并包括本征多晶半导体部件和掺杂多晶半导体部件的半导体层；

覆盖所述半导体层的栅绝缘层；

被设置在所述栅绝缘层上并传输扫描信号的扫描线；

与所述扫描线绝缘并相交并传输数据信号的数据线；

被连接到所述扫描线和所述数据线的薄膜晶体管；和

被连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管，

其中所述本征多晶半导体部件被定位在所述扫描线附近的区域。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中

所述扫描线包括：

被设置在所述栅绝缘层上的主扫描线，和

被设置在所述主扫描线上并接触所述主扫描线的辅助扫描线。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中

所述数据线包括：

被设置在所述栅绝缘层上的辅助数据线，和

被设置在所述辅助数据线上并接触所述辅助数据线的主数据线。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中

所述掺杂多晶半导体部件包括被设置在所述扫描线和所述数据线的交叉区域的交叉半导体部件，并且

所述交叉半导体部件包括彼此分离并彼此面对的第一交叉半导体部件和第二交叉半导体部件。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：

被设置在所述交叉半导体部件和所述主扫描线上的交叉层间绝缘层图案，

其中所述交叉层间绝缘层图案彼此绝缘所述主扫描线和所述主数据线。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中

所述交叉层间绝缘层图案具有包括交叉的横向部件和纵向部件的交叉形状，

所述横向部件接触所述主扫描线并被设置在所述主扫描线上，并且

所述纵向部件重叠所述交叉半导体部件。

7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中：

所述辅助扫描线的分离部分通过在所述交叉区域的所述主扫描线被连接，并且

所述辅助数据线的分离部分通过在所述交叉区域的所述主数据线被连接。

8.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中

所述本征多晶半导体部件被定位在所述主扫描线和所述辅助数据线的下方。

9.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中

所述掺杂多晶半导体部件进一步包括被设置在所述薄膜晶体管处的晶体管半导体部件，并且

所述晶体管半导体部件包括彼此分离并彼此面对的源区和漏区。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：

部分重叠所述晶体管半导体部件的晶体管层间绝缘层图案；和

部分重叠所述晶体管半导体部件的源电极和漏电极。

11.一种制造有机发光二极管显示器的方法，该方法包括：

在基底上顺序形成包括本征多晶半导体的半导体层、栅绝缘层和栅极层；

掺杂所述半导体层，以提供掺杂多晶半导体部件和本征多晶半导体部件；

在所述掺杂多晶半导体部件和所述栅极层上形成层间绝缘层图案；

在所述栅极层和所述层间绝缘层图案上形成数据层；

图案化所述数据层，以提供辅助扫描线和主数据线；以及

图案化被设置在所述辅助扫描线和所述主数据线附近的区域的所述栅极层，以暴露所述本征多晶半导体部件。

12.如权利要求11所述的方法，其中

提供所述掺杂多晶半导体部件包括在所述辅助扫描线和所述主数据线的交叉区域设置交叉半导体部件。

13.如权利要求12所述的方法，其中

形成所述层间绝缘层图案包括在所述交叉区域设置交叉层间绝缘层图案。

14.如权利要求12所述的方法，其中

所述交叉半导体部件和所述本征多晶半导体部件通过图案化所述栅极层以限定栅极开口并通过所述栅极开口掺杂所述半导体层被提供。

15.如权利要求11所述的方法，进一步包括：

在所述辅助扫描线下方设置主扫描线，并且在所述主数据线下方设置辅助数据线。