[发明专利]具有减小耦合的引线接合壁的半导体封装

说明书

技术领域

本公开通常涉及器件封装，更具体地说，涉及包含了减小相邻器件之间的耦合的引线接合壁的器件封装。

背景技术

无线通信系统通常采用功率放大器以用于增大信号的功率。在无线通信系统中，功率放大器通常是传输链(输出级)中的最后放大器。高增益、高线性、稳定性和高水平功率附加效率(即，在输出功率和输入功率至DC电源之间的差的比)是理想放大器的特性。

通常，当功率放大器传输峰值输出功率的时候，功率放大器以最大功率效率操作。然而，由于输出功率减小，功率效率趋于恶化。近日，由于架构的高功率附加效率，Doherty功率放大器架构已经不仅是基站而且是移动端子的关注焦点。

Doherty功率放大器通常包括两个或多个放大器，诸如载波放大器和峰值放大器。这些放大器与通过偏移传输线连接的它们的输出并联连接，其中该偏移传输线执行了阻抗转换。由于载波放大器饱和，峰值放大器传送电流，从而减小了在载波放大器的输出处可见的阻抗。因此，由于“负载牵引”的效果，当载波放大器饱和的时候，载波放大器给负载传送更多的电流。由于载波放大器保持接近饱和，所以Doherty功率放大器能够传输峰值输出功率，使得系统的总效率仍然保持相对高。

Doherty架构的高效率使得该架构可期望用于当前和下一代无线系统。然而，架构在半导体封装设计方面呈现出挑战。当前的Doherty功率放大器半导体封装设计要求使用离散器件和集成电路，其可能涉及包括了载波放大器的一个器件和包括了峰值放大器的独立器件。这些离散器件与封装保持距离以便限制在载波和峰值放大器之间发生的串扰问题。

半导体封装架构中串扰的一个来源是在信号线的阵列之间，被称为引线接合阵列，其可被连接在构成载波和峰值放大器中的每个的各种电气器件之间。即，Doherty功率放大器的性能可以受到Doherty功率放大器的相应的组件的相邻引线接合阵列之间的耦合(即，能量通过共享的磁场或电场从一个电路组件转移到另一个)的不利影响。耦合可以是两种类型，电气(通常被称为电容性耦合)和磁性(与电感性耦合同义地使用)。当变化的磁场存在于彼此靠近的载流平行导体之间的时候，电感耦合或磁耦合出现，从而引发穿过接收导体的电压。

遗憾的是，在封装中维持放大器之间的空间距离限制了半导体封装的小型化的可能性。限制小型化是不理想的，其中低成本、低重量以及小体积是各种应用的重要封装属性。

发明内容

在一个实现中，本公开提供了封装，所述封装包括衬底、和在所述衬底上的第一电路。所述第一电路包括第一电气器件、第二电气器件以及互连了所述第一电气器件和所述第二电气器件的第一引线接合阵列。所述封装包括在所述衬底上与所述第一电路相邻的第二电路。所述第二电路包括第三电气器件、第四电气器件以及互连了所述第三电气器件和所述第四电气器件的第二引线接合阵列。所述封装包括引线接合壁，所述引线接合壁包括在所述第一电路和所述第二电路之间的所述衬底上的多个引线接合。所述引线接合壁被配置成在所述第一电路和第二电路中的至少一个的操作期间减小所述第一电路和所述第二电路之间的电磁耦合。

在另一个实现中，本公开提供了Doherty放大器封装。所述Doherty放大器封装包括衬底、在所述衬底上的载波放大器、在所述衬底上与所述载波放大器相邻的峰值放大器以及在所述衬底上的多个引线接合。所述多个引线接合互连并沿着所述衬底的位于所述峰值放大器和所述载波放大器的至少一部分之间的区域行进。所述多个引线接合形成了引线接合壁，所述引线接合壁被配置成在所述载波放大器和所述峰值放大器中的至少一个的操作期间减小所述载波放大器和所述峰值放大器之间的电磁耦合。

在另一个实现中，本公开提供了一种方法。所述方法包括将载波放大器附接在衬底上、将峰值放大器与所述载波放大器相邻地附接在所述衬底上以及沿着所述衬底的位于所述载波放大器和所述峰值放大器的至少一部分之间的区域在所述衬底上形成多个互连的引线接合。所述多个引线接合形成了引线接合壁，所述引线接合壁被配置成在所述载波放大器和所述峰值放大器中的至少一个的操作期间减小所述载波放大器和所述峰值放大器之间的电磁耦合。

附图说明

本公开通过举例的方式说明，实施例等等并没有被附图所限制，在附图中相同的参考符号表示相同的元素。附图中的元素说明是为了简便以及清晰，并且不一定按比例绘制。附图连同详细说明书被并入并构成说明书的一部分，并且用于进一步说明例子、实施例等等，并根据本公开解释各种原理和优点，其中：