[发明专利]具有减小耦合的引线接合壁的半导体封装

权利要求书

1.一种封装，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一电路，所述第一电路包括第一电气器件、第二电气器件以及互连了所述第一电气器件和所述第二电气器件的第一引线接合阵列；

在所述衬底上与所述第一电路相邻的第二电路，所述第二电路包括第三电气器件、第四电气器件以及互连了所述第三电气器件和所述第四电气器件的第二引线接合阵列；以及

包括在所述第一电路和所述第二电路之间的所述衬底上的多个引线接合的引线接合壁，所述引线接合壁被配置成在所述第一电路和所述第二电路中的至少一个的操作期间减小所述第一电路和所述第二电路之间的电磁耦合。

2.根据权利要求1所述的封装，其中所述多个引线接合互连并沿着所述衬底的处于所述第二电路和所述第一电路的至少一部分之间的区域行进。

3.根据权利要求2所述的封装，包括在所述衬底上的多个连接盘，并且其中所述引线接合壁的所述引线接合电互连所述连接盘。

4.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一电路是Doherty放大器的载波放大器。

5.根据权利要求4所述的封装，其中所述第二电路是所述Doherty放大器的峰值放大器。

6.根据权利要求1所述的封装，其中所述引线接合壁被连接到接地电压端子。

7.根据权利要求1所述的封装，其中所述引线接合壁被连接到集成无源器件。

8.根据权利要求7所述的封装，其中当所述集成无源器件被连接到所述引线接合壁的时候，所述集成无源器件的电容和电感中的至少一个被选择以在频率范围内减小所述第一电路和所述第二电路之间的电磁耦合。

9.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一电气器件、第二电气器件、第三电气器件以及第四电气器件中的至少一个包括电容器和晶体管中的至少一个。

10.一种Doherty放大器封装，包括：

衬底；

在所述衬底上的载波放大器；

在所述衬底上与所述载波放大器相邻的峰值放大器；以及

在所述衬底上的多个引线接合，所述多个引线接合互连并沿着所述衬底的位于所述峰值放大器和所述载波放大器的至少一部分之间的区域行进，所述多个引线接合形成了引线接合壁，所述引线接合壁被配置成在所述载波放大器和所述峰值放大器中的至少一个的操作期间减小所述载波放大器和所述峰值放大器之间的电磁耦合。

11.根据权利要求10所述的Doherty放大器封装，包括在所述衬底上的多个连接盘，并且其中所述多个引线接合电互连所述连接盘。

12.根据权利要求11所述的Doherty放大器封装，其中所述多个连接盘被连接到接地电压。

13.根据权利要求10所述的Doherty放大器封装，其中所述多个引线接合被连接到接地电压端子。

14.根据权利要求10所述的Doherty放大器封装，其中所述多个引线接合被连接到集成无源器件。

15.根据权利要求14所述的Doherty放大器封装，其中当所述集成无源器件被连接到所述多个引线接合的时候并且在所述载波放大器和所述峰值放大器中的至少一个的操作期间，所述集成无源器件选择电容和电感中的至少一个以减小所述载波放大器和所述峰值放大器之间的电磁耦合。

16.根据权利要求10所述的Doherty放大器封装，其中：

所述载波放大器包括第一引线接合阵列，所述第一引线接合阵列互连了所述载波放大器的第一电气器件和所述载波放大器的第二电气器件；以及

所述峰值放大器包括第二引线接合阵列，所述第二引线接合阵列互连了所述载波放大器的第三电气器件和所述载波放大器的第四电气器件。

17.一种封装方法，包括：

将载波放大器附接在衬底上；

将峰值放大器与所述载波放大器相邻地附接在所述衬底上；以及

沿着所述衬底的位于所述峰值放大器和所述载波放大器的至少一部分之间的区域在所述衬底上形成多个互连的引线接合，所述多个引线接合形成了引线接合壁，所述引线接合壁被配置成在所述载波放大器和所述峰值放大器中的至少一个的操作期间减小所述载波放大器和所述峰值放大器之间的电磁耦合。