[发明专利]半导体制作工艺

权利要求书

1.一种半导体制作工艺，包含有：

提供一半导体基材，其上形成有底层、硬掩模层，设于该底层上，以及核心层，设于该硬掩模层上；

在该核心层上形成一光致抗蚀剂图案；

进行一第一各向异性干蚀刻制作工艺，将该光致抗蚀剂图案转移至该核心层，形成一核心层图案；

对该核心层图案进行一后清洗制作工艺；

在该后清洗制作工艺之后，在该核心层图案上沉积一间隙壁层；

进行一第二各向异性干蚀刻制作工艺，蚀刻该间隙壁层，在该核心层图案的侧壁上，形成一间隙壁图案；

去除该核心层图案；以及

进行一第三各向异性干蚀刻制作工艺，将该间隙壁图案转移至该硬掩模层。

2.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中该底层包含硅基材、多晶硅层、金属层、或介电层。

3.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中该硬掩模层包含多晶硅层或氮化硅层。

4.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中该核心层包含非晶相碳层。

5.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中该后清洗制作工艺是将该核心层图案在一预定温度下接触一预定清洗液经过一预定接触时间。

6.如权利要求5所述的半导体制作工艺，其中该预定清洗液包含SPM清洗液、APM清洗液、稀释的APM清洗液、稀释的氢氟酸溶液、异丙醇、稀释的硫酸/过氧化氢(DSP)溶液、或DSP+。

7.如权利要求5所述的半导体制作工艺，其中该预定温度介于室温至165℃。

8.如权利要求5所述的半导体制作工艺，其中该预定接触时间介于20秒至3分钟。

9.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中形成该核心层图案之后，对该核心层图案进行一图案修整制作工艺。

10.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中沉积该间隙壁层的温度大于或等于400℃。