[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201410202922.0 | 申请日: | 2014-05-14 |
公开(公告)号: | CN103972244B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 叶昭纬;丁天伦;杜振源;张家铭;林俊男;徐文浩;苏振嘉 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹 科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板的制作方法,包括:
于一第一基板形成至少一有源元件,其中该第一基板区分有至少一像素区,该有源元件位于该像素区且具有一源极与一漏极;
形成一第一绝缘层于该第一基板上且覆盖该有源元件;
形成至少一彩色滤光图案于该第一绝缘层上,该彩色滤光图案暴露出位于该漏极上方的部分该第一绝缘层;
形成一保护层于该彩色滤光图案上,该保护层覆盖该彩色滤光图案与该彩色滤光图案所暴露出位于该漏极上方的部分该第一绝缘层;
形成一第二绝缘层于该保护层上,且该第二绝缘层覆盖该保护层,其中该保护层的蚀刻速率低于该第二绝缘层的蚀刻速率;
对该第二绝缘层进行一图案化程序,至暴露出该有源元件的部分该漏极以及部分该保护层,而形成一图案化绝缘层,其中该图案化绝缘层具有多个对应该像素区设置的条状结构,且各二相邻该多个条状结构之间具有至少一凹槽,该凹槽暴露出部分该保护层;
形成一像素电极于该图案化绝缘层上,其中该像素电极为一块状电极且覆盖该图案化绝缘层的该多个条状结构与该凹槽,并依据该多个条状结构而凸起以形成多个条状电极,且该像素电极连接该图案化绝缘层所暴露出的该有源元件的部分该漏极;以及
将一第二基板跟该第一基板组装,其中该第二基板上已形成有一对应该像素电极的共用电极,并于该像素电极与该共用电极之间设置一显示介质层。
2.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,对该第二绝缘层进行该图案化程序,而形成该图案化绝缘层的步骤包括:
形成一第一图案化光阻层于该第二绝缘层上,该第一图案化光阻层暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该第二绝缘层以及位于该漏极上方的部分该第二绝缘层:
以该第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该保护层以及位于该漏极上方的部分该保护层;
移除该第一图案化光阻层,以暴露出该第二绝缘层,且该第二绝缘层具有对应该像素区设置的该多个条状结构以及各二相邻该多个条状结构之间具有该凹槽,以暴露出部分该保护层;
形成一第二图案化光阻层于移除该第一图案化光阻层之后所暴露出的该第二绝缘层上,该第二图案化光阻层暴露出位于该漏极上方的部分该保护层;
以该第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出部分该漏极;以及
移除该第二图案化光阻层。
3.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,对该第二绝缘层进行该图案化程序,而形成该图案化绝缘层的步骤包括:
形成一第一图案化光阻层于该第二绝缘层上,该第一图案化光阻层暴露出位于该漏极上方的部分该第二绝缘层;
以该第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出部分该漏极;
移除该第一图案化光阻层,以暴露出该第二绝缘层;
形成一第二图案化光阻层于移除该第一图案化光阻层之后所暴露出的该第二绝缘层上,该第二图案化光阻层暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该第二绝缘层;
以该第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该保护层;以及
移除该第二图案化光阻层,以暴露出该第二绝缘层,且该第二绝缘层具有对应该像素区设置的该多个条状结构以及各二相邻该多个条状结构之间具有该凹槽,以暴露出部分该保护层。
4.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,对该第二绝缘层进行该图案化程序,而形成该图案化绝缘层的步骤包括:
形成一光阻层于该第二绝缘层上,该光阻层覆盖该第二绝缘层;
提供一半调式光罩于该光阻层上,并进行一显影程序,以暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的该光阻层的一部分以及位于该漏极上方的部分该第二绝缘层;
以该光阻层为一蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出位于该像素区的该彩色滤光图案上的部分该保护层以及部分该漏极;以及
移除该光阻层,以暴露出该第二绝缘层,且该第二绝缘层具有对应该像素区设置的该多个条状结构以及各二相邻该多个条状结构之间具有该凹槽,以暴露出部分该保护层。
5.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,该保护层的厚度介于0.01微米至0.3微米之间,而该第二绝缘层的厚度介于0.1微米至0.5微米之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的