[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其制作方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管基板的制作方法、薄膜晶体管基板及薄膜晶体管液晶显示器。

背景技术

大尺寸的TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，超薄膜晶体管液晶显示器)在平板电视领域获得了广泛的应用。平板电视区别于电脑显示屏或手机屏的显著要求是需要比较广的视角，以便让人能在比较随意的角度都能够看清电视显示的画面。

对于VA(Vertical Alignment，垂直配向技术)面板来讲，增加视角的比较传统的方法是将一个像素细分成两个子像素，每个子像素都因像素电极ITO(Indium Tin Oxide，掺锡氧化铟)方向的不同，分成4domain的结构。其中一个子像素的像素电极通过一个TFT开关连接到一个电荷共享电容上。当这个TFT开关打开时，子像素的电荷会部分流入到电荷共享电容，导致这个子像素的电压比另一个子像素的电压略小，从而使得两个子像素的亮度不一样。这样便可以形成8domain结构，可以增加画面的视角。

一般来讲，电荷共享电容都由信号线金属电极和金属栅电极作为电容极板，中间夹着As层的绝缘层形成MIM(Metal injection Molding,金属注射成形)结构。在5道光罩工艺中，因As层的有源成非晶硅层和欧姆接触层(掺杂磷元素的硅层)都被蚀刻掉，所以电荷共享电容的两个金属极板之间夹着的仅为氮化硅绝缘层。这种电容的大小不会随着金属极板正负极性的变化而变化。

TFT-LCD阵列基板的生产为了加大产能，减少生产成本，目前已经由5道光罩工艺改进到4道光罩工艺，即在CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)成膜形成栅极绝缘层和有源层后，取消曝光和蚀刻步骤，直接进行第二金属电极层的成膜，然后用半灰阶光罩，搭配湿式蚀刻和干式蚀刻，形成信号电极和TFT沟道。用4道光罩工艺形成的电荷共享电容，信号线金属电极与栅电极间夹的是完整的CVD的膜，包括氮化硅绝缘层，非晶硅层和欧姆接触层。电荷共享电容的两个金属极板之间夹着有非晶硅层和欧姆接触层、氮化硅绝缘层时，区别于仅有氮化硅绝缘层的状况，在两个金属极板的正负极性变化时，电容的大小会发生变化。这一电容的变化会导致画面有影像残留和闪烁等异常，导致画质下降和可靠性降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管基板的制作方法、薄膜晶体管基板及薄膜晶体管液晶显示器，旨在解决采用现有技术形成的电荷共享电容，在其两个金属极板的正负极性变化时，电容的大小会发生变化，这一电容的变化会导致画面有影像残留和闪烁等异常，导致画质下降和可靠性降低问题。

本发明是这样实现的，一种薄膜晶体管基板的制作方法，所述薄膜晶体管基板的制作方法包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板表面上依次形成第一金属层、第一化学气相沉积膜层、第二金属层、以及第二化学气相沉积膜层；其中，所述第一金属层包括共享电容的下电极，所述第一化学气相沉积膜层及所述第二化学气相沉积膜层均分别包括氮化硅层；

在所述第二化学气相沉积膜层上形成光阻；

用光罩对所述光阻进行曝光和显影，所述光罩对应的位置为共享电容区域；

对所述第二化学气相沉积膜层上的光阻被去除的过孔区域进行过孔蚀刻；

对所述光阻进行灰化，去除所述共享电容区域的光阻；

蚀刻所述共享电容区域的氮化硅层；

形成一像素电极层，其中所述像素电极层包括共享电容的上电极。

本发明的另一目的在于提供一种薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括：

一基板，在所述基板表面上依次设置第一金属层、第一化学气相沉积膜层、第二金属层、第二化学气相沉积膜层、以及像素电极层；其中，所述第一金属层包括共享电容的下电极，所述第一化学气相沉积膜层及所述第二化学气相沉积膜层均分别包括氮化硅层；所述像素电极层包括共享电容的上电极，所述共享电容的上下电极层之间夹着所述第一化学气相沉积膜层的氮化硅层与所述第二化学气相沉积膜层的氮化硅层；或者是所述共享电容的上下电极层之间只夹着第一化学气相沉积膜层的氮化硅层。

本发明的另一目的在于提供一种包括上面所述的薄膜晶体管基板的薄膜晶体管液晶显示器。