[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其制作方法和液晶显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管基板的制作方法包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板表面上依次形成第一金属层、第一化学气相沉积膜层、第二金属层、以及第二化学气相沉积膜层；其中，所述第一金属层包括共享电容的下电极，所述第一化学气相沉积膜层及所述第二化学气相沉积膜层均分别包括氮化硅层；

在所述第二化学气相沉积膜层上形成光阻；

用光罩对所述光阻进行曝光和显影，所述光罩对应的位置为共享电容区域；

对所述第二化学气相沉积膜层上的光阻被去除的过孔区域进行过孔蚀刻；

对所述光阻进行灰化，去除所述共享电容区域的光阻；

蚀刻所述共享电容区域的氮化硅层；

形成一像素电极层，其中所述像素电极层包括共享电容的上电极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述光罩采用的是半灰阶光罩，所述半灰阶光罩对应的位置为共享电容的上电极的区域。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，在所述基板表面上形成第一化学气相沉积膜层的步骤包括：

在所述基板上依次连续成膜一氮化硅层、一非晶硅层、一欧姆接触层，并形成第一化学气相沉积膜层区域图样。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，在所述基板表面上形成第一化学气相沉积膜层后，还包括以下步骤：

在所述第一化学气相沉积膜层上形成光阻；

对所述光阻进行曝光和显影；

对所述第一化学气相沉积膜层上的光阻被去除的共享电容区域进行蚀刻，以蚀刻掉第一化学气相沉积膜层中的共享电容区域对应位置的非晶硅层和欧姆接触层；

在所述基板表面上形成第二金属层后，蚀刻掉共享电容区域对应位置的第二金属层。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述蚀刻所述共享电容区域的氮化硅层的步骤包括：

蚀刻掉所述第二化学气相沉积膜层的部分氮化硅层，以使所述共享电容的上下电极层之间夹着第一化学气相沉积膜层的氮化硅层与第二化学气相沉积膜层的氮化硅层。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述蚀刻所述共享电容区域的氮化硅层的步骤包括：

蚀刻掉所述第二化学气相沉积膜层的全部氮化硅层，以使所述共享电容的上下电极层之间只夹着第一化学气相沉积膜层的氮化硅层。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，在所述蚀刻所述共享电容区域的氮化硅层的步骤之后，还包括：

去除剩余的光阻。

8.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板包括：

一基板，在所述基板表面上依次设置第一金属层、第一化学气相沉积膜层、第二金属层、第二化学气相沉积膜层、以及像素电极层；其中，所述第一金属层包括共享电容的下电极，所述第一化学气相沉积膜层及所述第二化学气相沉积膜层均分别包括氮化硅层；所述像素电极层包括共享电容的上电极，所述共享电容的上下电极层之间夹着所述第一化学气相沉积膜层的氮化硅层与所述第二化学气相沉积膜层的氮化硅层；或者是所述共享电容的上下电极层之间只夹着第一化学气相沉积膜层的氮化硅层。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

所述共享电容之间氮化硅的总厚度是500～650纳米，或者

所述共享电容之间氮化硅的总厚度是100～400纳米。

10.一种包括权利要求8或9任一项所述的薄膜晶体管基板的薄膜晶体管液晶显示器。