[发明专利]一种封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构，具体是涉及一种WLP（Wafer level packaging，晶片级封装，又称晶圆级封装）结构。

背景技术

晶圆级封装是以BGA（Ball Grid Array，球栅阵列结构）技术为基础，是一种经过改进和提高的CSP（Chip Scale Package，芯片尺寸封装）。另外，业界又将WLP称为圆片级-芯片尺寸封装（WLP-CSP）。

晶片及封装技术以圆片为加工对象，在圆片上同时对众多芯片进行封装、老化、测试，最后切割成单个器件，可以直接贴装在基板或者印刷电路板上。

近几年开发出的扩散式WLP（fan-out WLP），基于晶圆重构技术，将芯片重新布置到一块人工晶圆上，然后按照与标准WLP工艺类似的步骤进行封装，得到的封装面积要大于芯片面积。

传统的WLP封装，通过圆片的减薄、切割、上片、焊线、塑封、植球等形式进行封装，随着科技的发展内存容量越来越大，一直以来的通过叠片的封装方式，进行焊线增大内存，而目前消费者对于电子产品要求，“小”“轻” “薄”故叠片的方式不能满足。

如图1所示，为一种传统的WLP封装结构，它包括一个具有基板电路的基板6，在基板6通过胶层7贴装芯片2，然后再在芯片2上通过胶层1贴装芯片3，再通过打线，如图中的金线4进行芯片与基板电路的连接，最后通过如树脂形成树脂封装体，以保证整体的机械强度。其整体结构相对较厚，整体尺寸（Scale）相对较大。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种新的封装结构，具有相对较小的封装体的厚度。

本发明采用以下技术方案：

一种封装结构，包括：

金属板，具有第一面和与第一面相对的第二面；

底胶体，贴于第一面；

侧胶体，围在底胶体的周边，从而与底胶体构成槽型结构；

芯片，容纳在所述槽型结构内；以及

锡球，植在芯片的预定位置。

上述封装结构，在较佳的实施例中，所述金属板为黑色的金属板，从而，所述第二面为激光打标面。

具体地，所述金属板所采用金属的性质如下：

热膨胀系数：0.5×10E-6/K；

延展性：在标准大气压下，室温20℃，延性抽丝直径不小于1/500mm,展性厚度不小于1/1000mm；

硬度：15-25HBW。

在另一些实施例中，还包括贴装在第二面上的激光打标层。

具体地，底胶体与芯片在金属板第一面上的投影一致，侧胶体与底胶体恰好覆盖第一面。

优选地，所述芯片还包括延展到侧胶体上的电极，并在电极上植有锡球。

依据本发明，通过金属板支撑晶圆，其具有良好的导热性，因而能够很好的散热，并具有比较好的刚度。通过胶体进行封装，结构简单，且耐水性普遍较好，能够满足芯片的要求。

附图说明

图1为已知的一种WLP结构示意图。

图2为依据本发明较佳实施例的一种封装结构示意图。

图3为依据本发明实施例的一种封装结构示意图。

图中：1.胶层，2.芯片，3.芯片，4.金线，5.树脂封装体，6.基板，7.胶层；8.芯片，9.锡球，10.侧胶体，11.金属板，12.底胶体，13激光打标层，14.电极。

具体实施方式

参见说明书附图2和附图3所示的封装结构，图中所表示为剖面结构，为了清楚显示图像，没有画出剖面线。图中所示的封装结构，它主要包括作为载体的金属板11、通过胶体封装在该金属板上的芯片8，以及用于芯片8对外电气连接的锡球9。

其中，关于金属板11，它具有第一面和与第一面相对的第二面，该金属板11的主要作用是支撑作用，用于支撑芯片或者晶圆。另外金属普遍具有良好的导热性，有利于散热，因此，利用其良好的导热性把芯片工作时产生的热量导出，提高芯片的工作性能，在下文中还涉及到金属板11的其他作用，于具体的实施例中体现。

关于胶体，图中含有两个部分，及底胶体12和侧胶体10，匹配金属板11，为能用于金属粘接的黑胶，如E-305A胶。

其中，底胶体12，贴于第一面，具体理解应为下述的芯片8通过底胶体12贴装在金属板11的第一面上，所使用的胶体可以把芯片8与金属板11很好的结合在一体。

配置侧胶体10，围在底胶体12的周边，从而与底胶体12构成槽型结构，从而形成能够容纳芯片8的槽型结构。