[发明专利]半导体装置、其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一半导体部，该第一半导体部在其一侧包括第一布线层，所述第一半导体部还包括光电二极管和至少一个晶体管；

第二半导体部，该第二半导体部在其一侧包括第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部通过所述第一布线层和所述第二布线层之间的接合层被固定到一起，使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对；

第一导电材料，其布置在第一开口中，并穿过所述第一半导体部和所述接合层延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层的第一部分中，使得所述第一布线层和所述第二布线层电连通；

第二导电材料，其布置在不同于所述第一开口的第二开口中，并穿过所述第一半导体部和所述接合层延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层的第二部分中，使得所述第二布线层和外部布线电连通；

其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料连接到所述第二布线层中的同一布线层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一布线层包括铜线且所述导电材料与所述铜线接触。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体部中的所述光电二极管位于所述第一半导体部中与所述第一布线层相反的一侧上。

4.如权利要求3所述的半导体装置，还包括所述光电二极管和所述第一导电材料之间的绝缘隔离物层。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述绝缘隔离物层围绕所述第一导电材料。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部通过等离子体结合而固定到一起。

7.如权利要求3所述的半导体装置，还包括所述第一半导体部的区域上方的遮光膜，所述遮光膜不设置在所述光电二极管的上方。

8.如权利要求3所述的半导体装置，还包括所述光电二极管上方的防反射膜。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述防反射膜包括氧化钽膜或氧化铪膜。

10.如权利要求8所述的半导体装置，还包括所述第一半导体部和所述第二半导体部之间的应力降低膜。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二布线层包括与所述第一导电材料接触的铝线。

12.一种制造半导体装置的方法，其包括以下步骤：

形成第一半导体部，该第一半导体部在其一侧包括第一布线层，所述第一半导体部还包括光电二极管和至少一个晶体管；

形成第二半导体部，该第二半导体部在其一侧包括第二布线层；

通过所述第一布线层和所述第二布线层之间的接合层，将所述第一半导体部固定到所述第二半导体部，使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对；

在第一开口中设置第一导电材料，所述第一导电材料穿过所述第一半导体部和所述接合层延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层的第一部分中，使得所述第一布线层和所述第二布线层电连通；

在不同于所述第一开口的第二开口中设置第二导电材料，所述第二导电材料穿过所述第一半导体部和所述接合层延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层的第二部分中，使得所述第二布线层和外部布线电连通；

其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料连接到所述第二布线层中的同一布线层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一布线层包括铜线且所述第一导电材料与所述铜线接触。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一半导体部中的所述光电二极管形成在所述第一半导体部中与所述第一布线层相反的一侧上。

15.如权利要求14所述的方法，还包括在所述光电二极管和所述第一导电材料之间形成绝缘隔离物层的步骤。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述绝缘隔离物层围绕所述第一导电材料。

17.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部通过等离子体结合而固定到一起。