[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201410168661.5 | 申请日: | 2014-04-24 |
公开(公告)号: | CN103972243B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 白金超;刘耀;李梁梁;丁向前;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
请参考图1,图1为现有技术中的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图,所述薄膜晶体管阵列基板包括:公共电极102,栅线103,与栅线103同层设置的公共电极线104,以及数据线105,其中,公共电极线104与公共电极102连接,以减小公共电极102的电阻。
上述结构的薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤:
步骤S11:在一基板上形成公共电极;
步骤S12:通过一次构图工艺在形成有公共电极的基板上形成栅金属层及公共电极线,所述栅金属层包括:栅电极和栅线;
步骤S13:在形成有栅金属层和公共电极线的基板上形成栅绝缘层;
步骤S14:在形成有栅绝缘层的基板上形成有源层;
步骤S15:在形成有源层的基板上形成源漏金属层,所述源漏金属层包括:源漏电极和数据线;
步骤S16:在形成有源漏金属层的基板上形成钝化层(PVX),并形成贯通钝化层和栅绝缘层的过孔;
步骤S17:在形成有钝化层的基板上形成像素电极层及用于连接像素电极与漏电极的第一连接部以及用于连接栅金属层上的相邻的公共电极线的第二连接部。
请参考图2,图2为现有技术中的位于栅金属层的公共电极线的连接方式示意图。图中,101为基板,104为与栅金属层同层设置的公共电极线,106为栅绝缘层,107为钝化层,108为钝化层上的过孔,109为与像素电极层同层设置的第二连接部。
从图2中可以看出,钝化层107上形成的过孔108深度较大,导致过孔108处会呈现凸凹不平的样貌,从而会造成取向层(PI)扩散不均,严重影响显示面板(panel)的画面品质。比如在panel周边会出现周边取向层黑Mura,在像素区内会出现M24不良(现象为多条发生的竖向线性Mura,中间发黑两边发白)及白污渍(不连续呈麻点状的黑点)等不良。
因此,如何降低阵列基板上的过孔的深度,改善取向层扩散不均成为亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,以降低阵列基板上的过孔的深度,改善取向层扩散不均的问题。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供一种阵列基板,包括:
栅金属层;
栅绝缘层;
源漏金属层;
与所述栅金属层同层设置的第一公共电极线;
设置于所述栅绝缘层上、与所述第一公共电极线对应的第一过孔;
位于所述第一过孔中的源漏金属填充部;
与所述第一过孔连通的第二过孔;
透明连接部;
其中,所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
其中,所述薄膜晶体管阵列基板还包括:钝化层,所述第二过孔形成于所述钝化层上。
其中,所述第一公共电极线与所述栅金属层同层同材料制成。
其中,所述源漏金属填充部与所述源漏金属层同层同材料制成。
其中,所述阵列基板还包括:
第一透明导电层;
其中,所述透明连接部与所述第一透明导电层同层同材料制成;
所述第一透明导电层为像素电极层或公共电极层。
其中,所述阵列基板还包括:
与所述源漏金属层同层同材料制成的第二公共电极线;
位于所述第一过孔中的源漏金属连接部;
其中,所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线电连接。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法,包括:
在栅金属层形成第一公共电极线的步骤;
在栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔的步骤;
在所述第一过孔中形成源漏金属填充部的步骤;
形成与所述第一过孔连通的第二过孔的步骤;
形成透明连接部的步骤;
其中,所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
其中,所述第一公共电极线与所述栅金属层通过一次构图工艺形成。
其中,所述源漏金属填充部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。
其中,所述方法还包括:
形成第一透明导电层的步骤;
其中,所述透明连接部与所述第一透明导电层通过一次构图工艺形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410168661.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的