[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明的目的在于抑制当环境温度改变时可以引起的由压力传感器检测到的数值的误差。半导体衬底具有第一导电类型。半导体层形成在半导体衬底的第一表面之上。每个电阻部件都具有第二导电类型，并且形成在半导体层中。电阻部件相互间隔开。隔离区域是形成在半导体层中的第一导电类型的区域，并且将电阻部件相互电隔离开。凹陷部分形成在半导体衬底的第二表面中，并且当平面地观察时凹陷部分与电阻部件重叠。半导体层是外延层。

相关申请的交叉引用

包括说明书、附图和摘要的于2013年4月18日提交的第

2013-087796号日本专利申请的公开内容通过整体引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且提供了一种技术，该技术例如可以应用于具有压力传感器的半导体器件。

背景技术

检测压力的压力传感器的示例包括例如第2008-190970号日本待审专利公开中所描述的半导体器件。该半导体器件具有在硅衬底的第一表面之上的应变计。这一应变计通过向硅衬底的第一表面中扩散杂质或者注入离子而形成。在硅衬底的第二表面中形成凹陷部分。硅衬底的其中形成了应变计的部分的厚度小，这是因为形成了该凹陷部分。在这种结构中，当外部压力变化时，在应变计中产生了应变，由此允许应变计的电阻改变。上述压力传感器基于应变计的电阻的改变来检测压力。

发明内容

近年来，具有压力传感器的半导体器件已经用于各种环境。另一方面，通过将杂质引入半导体层中而形成的导电层的电阻的变化率是依赖于温度的。当其变化率如此依赖于温度时，由压力传感器检测到的数值随环境温度一起改变，由此引起数值误差。本发明人已经进行了研究，以使得误差变小。由本发明的说明书和附图，其它问题和新的特征将变得明确。

根据一个实施例，半导体层形成在半导体衬底的第一表面之上。在半导体层中提供相互间隔开的多个电阻部件。在半导体衬底的第二表面中提供凹陷部分。当平面地观察时，凹陷部分与电阻部件重叠。半导体层是外延层。

根据实施例，可以抑制当环境温度改变时可以引起的由压力传感器检测到的数值的误差。

附图说明

图1是图示了根据第一实施例的半导体器件的配置的剖视图；

图2是图示了多个电阻部件的平面布局的示例的视图；

图3是图示了具有电阻部件的压力传感器的等效电路的视图；

图4A和图4B是图示了制造半导体器件的方法的示例的剖视图；

图5A和图5B是图示了制造半导体器件的方法的示例的剖视图；

图6是图示了制造半导体器件的方法的示例的剖视图；

图7是图示了电阻部件的电阻的温度依赖性的图表；

图8是图示了根据第二实施例的半导体器件的配置的剖视图；

以及

图9是图示了根据第三实施例的半导体器件的配置的剖视图。

具体实施方式

下文中，将使用附图描述一些实施例。每个附图中图示的相同或相似部件由相似附图标记标注，并且将适当地省略重复性描述。（第一实施例）