[发明专利]晶片粘贴装置在审
| 申请号: | 201410112854.9 | 申请日: | 2014-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN104078347A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
| 发明(设计)人: | 小野贵司;小野寺宽;桑名一孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/67;B05C11/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;蔡丽娜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 粘贴 装置 | ||
技术领域
本发明涉及在晶片制作工序中将半导体晶片经液态树脂粘贴于片材(sheet)的晶片粘贴装置。
背景技术
在晶片制作工序中,例如利用线锯将硅等的圆柱状的坯料切成片,形成基板状的晶片。关于被切成片的晶片,在切成片时产生起伏和翘曲等,但将液态树脂涂布于一个面来形成平坦面。在涂布有液态树脂的平坦面粘贴有使晶片的处理容易的片材,以该片材面为基准进行磨削,从而形成为平坦的薄板状。
作为将晶片经液态树脂粘贴于片材的晶片粘贴装置,已知有进行从加工前的晶片的搬入到加工后的带片材的晶片的搬出的一系列作业的晶片粘贴装置(例如,参照专利文献1)。在专利文献1记载的晶片粘贴装置中,将片材载置在具有透光性的台部上,向片材供给紫外线硬化性的液态树脂。然后,将晶片按压于液态树脂的液滴部,使液态树脂均匀地遍布于晶片与片材之间。之后,从在台部下部配设的紫外线照射构件照射紫外线,由此使液态树脂硬化,将树脂粘贴于晶片。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2012-146872号公报
在专利文献1记载的晶片粘贴装置中,在液态树脂被晶片和片材夹着的状态下向液态树脂照射紫外线。这时,由于液态树脂的外周缘被曝露于空气中,所以存在这样的问题:空气中的氧气阻碍了紫外线硬化的光聚合反应。为了解决该问题,需要在紫外线照射时将台部周围密闭,用氮气充满台部附近的环境,但由于在密闭台部周围后必须用氮气替换密闭空间的空气,所以紫外线照射工序需要较长时间。
发明内容
本发明正是鉴于上述方面而完成的,其目的在于提供一种晶片粘贴装置,能够在紫外线硬化工序中使与空气接触的晶片和液态树脂的外周在短时间内成为氮气环境。
本发明的晶片粘贴装置的特征在于,其具备:按压构件,其具有能够吸附保持晶片的按压面;台部,其由透光的材质形成,所述台部与该按压面对置地配设,保持透光的片材的下表面;移动构件,其使该按压面接近和远离该台部;树脂供给构件,其向保持于该台部的该片材的上表面供给通过照射紫外线而硬化的液态树脂;以及紫外线照射构件,其配设在该台部的下方,朝向该台部上方照射紫外线,所述晶片粘贴装置利用保持于该按压面的晶片来按压隔着该片材供给到该台部的上表面的该液态树脂,使该液态树脂在晶片下表面扩展,将该液态树脂粘贴于晶片,该按压构件的该按压面具有与晶片同等的外径,所述晶片粘贴装置具备喷射口和氮气供给源,围绕该按压面的外周呈环状地形成有多个该喷射口,该氮气供给源配设成与多个该喷射口连通,在利用保持于该按压面的晶片来按压隔着该片材供给到该台部的上表面的该液态树脂、使该液态树脂在晶片下表面扩展之后,从多个该喷射口喷射氮气,在晶片和该液态树脂的整个外周被氮气覆盖的状态下,从该紫外线照射构件透过该台部向该液态树脂照射紫外线,使该液态树脂硬化,从而将该液态树脂粘贴于晶片。
根据该结构,当隔着片材供给到台部的上表面的液态树脂扩展至晶片的整个下表面区域之后,从多个喷射口喷射氮气,由此,晶片和液态树脂的整个外周成为被氮气覆盖的状态。由此,在液态树脂的外周缘不曝露于空气中的情况下向液态树脂照射紫外线,因此,液态树脂的外周缘的硬化不会由于空气中的氧气而受阻。并且,能够使晶片和液态树脂的外周的环境在瞬间成为被氮气覆盖的状态。其结果是,能够缩短用氮气置换晶片和液态树脂的外周的环境时的停工时间,从而能够缩短紫外线硬化工序所花费的时间。
发明效果
根据本发明,通过从多个喷射口向晶片和液态树脂的周围喷射氮气,能够在紫外线硬化工序使与空气接触的晶片和液态树脂的外周在短时间内成为氮气环境。
附图说明
图1是本实施方式的晶片粘贴装置的立体图。
图2是本实施方式的按压构件的说明图。
图3是本实施方式的晶片粘贴装置的粘贴动作的说明图。
标号说明
1:晶片粘贴装置;
5:液态树脂;
23:台部;
24:树脂供给构件;
25:按压构件;
26:移动构件;
28:紫外线照射构件;
251:按压面;
253:喷射口;
254:氮气供给源;
S:片材;
W:晶片。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





