[发明专利]电子部件用层叠布线膜和覆盖层形成用溅射靶材

说明书

技术领域

本发明涉及要求耐湿性、耐氧化性的电子部件用层叠布线膜和用于形成覆盖该电子部件用层叠布线膜的主导电层的覆盖层的覆盖层形成用溅射靶材。

背景技术

除了液晶显示器（以下称作“LCD”。）、等离子显示板（以下称作“PDP”）、电子纸等所利用的电泳型显示器等平面显示装置（平板显示器、以下称作“FPD”）之外，在各种半导体器件、薄膜传感器、磁头等薄膜电子部件中也需要形成低电阻的布线膜。例如在玻璃基板上制作薄膜器件而成的LCD、PDP、有机EL显示器等FPD随着大画面、高精细、高速响应化，对其布线膜要求低电阻化。近年来，进一步开发了对FPD添加操作性的触摸面板、采用树脂基板的柔性的FPD等新的产品。

近年来，就作为FPD的驱动元件所使用的薄膜晶体管（以下称作“TFT”）而言，Si半导体膜是主流，存在低电阻的布线膜的Al在与Si直接接触时会因制造TFT的过程中的加热工序而扩散、使TFT的特性劣化的情况。因此，在Al和Si之间采用将耐热性优异的纯Mo、Mo合金作为阻挡膜的层叠布线膜。

此外，自TFT连接的像素电极、便携型终端或平板PC等所采用的触摸面板的位置检测电极通常采用作为透明导电膜的铟－锡氧化物（以下称作“ITO”）。在这种情况下，也存在作为布线膜的Al与ITO接触时会在布线膜与ITO的界面生成氧化物，电接触性劣化的情况。因此，在Al和ITO之间作为接触膜形成纯Mo、Mo合金来确保Al与ITO的接触性。

像以上那样，为了获得活用了Al的低电阻特性的布线膜，纯Mo、Mo合金膜不可或缺，需要做成用纯Mo、Mo合金覆盖Al而成的层叠布线膜。

并且，近年来，使用了氧化物的半导体膜的研究正积极地进行，该氧化物被认为比非晶质Si半导体更适合高速驱动，对于作为这些氧化物半导体和Al的层叠膜的接触膜、阻挡膜所使用的覆盖层也研究了应用纯Mo。

因此，作为改善纯Mo的特性的方案，本申请人提出了耐腐蚀性、耐热性、与基板的密合性优异的、低电阻的、向Mo中添加3原子%～50原子%的V、Nb而成的Mo合金膜（例如参照专利文献1）。

专利文献1：日本特开2002－190212号公报

在上述专利文献1中提出的Mo－V、Mo－Nb合金等与Mo相比耐腐蚀性、耐热性、与基板的密合性更优异，因此，在形成于玻璃基板上的FPD用途中广为使用。

但是，在制造FPD的情况下，在基板上形成了层叠布线膜之后移动到下一工序时，存在长时间放置在大气中的情况。此外，为了提高便利性，在采用树脂薄膜的、轻量且柔性的FPD等中，树脂薄膜与迄今的玻璃基板等相比较存在透湿性，因此，对于层叠布线膜要求更高的耐湿性。

并且，在将信号线缆安装于FPD的端子部等时，存在在大气中被加热的情况，因此，对于层叠布线膜也要求提高耐氧化性。此外，在采用氧化物的半导体膜中，为了提高特性、稳定化，存在形成含有氧的保护膜之后在含有氧的气氛中以350℃以上的高温进行加热处理的情况。因此，为了在经历了这些加热处理之后也能够维持稳定的特性，对于层叠布线膜进一步要求提高耐氧化性。

根据本发明人的研究确认到，在上述Mo－V、Mo－Nb合金、纯Mo中，上述环境中的耐湿性、耐氧化性并不充分，存在在FPD的制造工序中做成层叠布线膜的覆盖层之时产生表面会氧化而变色的问题的情况。若耐氧化性不充分，则使电接触性劣化，导致电子部件的可靠性降低。

还确认到，为了高速驱动，TFT制造工序中的加热温度存在上升的倾向，若经历更高温度的加热工序，则存在层叠布线膜所含有的合金元素向Al扩散而电阻值增加的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种使用覆盖层的电子部件用层叠布线膜和覆盖层形成用溅射靶材，该覆盖层由Mo合金构成，改善了耐湿性和耐氧化性，并且，在与作为低电阻的主导电层的Al层叠时即使经历加热工序也能够维持较低的电阻值。

本发明人鉴于上述课题，致力于向Mo新添加的元素的最佳化。其结果发现，通过向Mo中复合地添加特定量的Ni和Nb，提高了耐湿性和耐氧化性，并且在做成作为主导电层的Al的覆盖层之时即使经历加热工序也能够维持较低的电阻值，实现了本发明。