[发明专利]陶瓷部件及半导体制造装置用部件

说明书

本发明提供一种陶瓷部件以及半导体制造装置用部件，其在包含氧化镁的陶瓷部件以及半导体制造装置用部件中，具有性能得到改进的电极。半导体制造装置用部件20具有基材部22以及形成于基材部22上的陶瓷部件30。本发明的陶瓷部件30具有陶瓷基体32和设置在陶瓷基体32的一部分上的电极34，其中陶瓷基体32包含氧化镁、规定成分固溶于氧化镁中的氧化镁固溶体以及氧化锆中的至少一种，电极34包含作为电极成分的钌铝合金。陶瓷部件30是平板状部件，其具有电极34被埋设在其内部的结构。该电极34与从陶瓷部件30的下侧插入的供电部件26连接，由该供电部件26供给电力。

技术领域

本发明涉及陶瓷部件以及半导体制造装置用部件。

背景技术

传统上，作为半导体制造装置用部件，提出了平面度为20μm以下的静电卡盘（例如，参照专利文献1），该静电卡盘使用氧化铝作为绝缘介电层，使用以钨、碳化钨为主成分的电极，并使其绝缘介电层的吸附面一侧的表面粗糙度Ra为0.25μm以下。在该静电卡盘中，由静电吸附力饱和时间和残余吸附力消失时间构成的响应较短，效率较好。此外，作为半导体制造装置用部件，提出了具有由氧化镁构成的基体、由选自于Ni、Co和Fe构成的群组中的至少一种金属形成的电极的静电卡盘（例如，参照专利文献2）。该静电卡盘可抑制微裂纹和翘曲（Warpage）的发生，同时防止电极材料向介电层的扩散。现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-297265号公报

专利文献2：日本特开2011-86919号公报

发明内容

本发明所要解决的问题

然而，在使用以氧化镁或氧化锆为主成分的陶瓷基体的陶瓷部件中，使用专利文献1中记载的电极材料的话，会产生例如因热膨胀系数差异导致的裂纹、电极材料向陶瓷基体中扩散等不良状况。此外，专利文献2中记载的电极材料包含磁性元素，例如其作为静电卡盘使用时的性能被期望得到进一步地改进。因此，希望寻找一种在以氧化镁或氧化锆为主成分的基体中使用的更合适的电极。

考虑到上述技术问题进行本发明，本发明的主要目的在于提供陶瓷部件以及半导体制造装置用部件，该陶瓷部件具有在包含氧化镁或氧化锆之物中，性能得到进一步改进的电极。

用于解决技术问题的方案

作为为了实现上述主要目的深入研究的结果，本发明人发现，例如，使用包含钌和铝的合金的电极，可抑制产生裂纹，进一步降低比电阻值，进一步抑制电极材料向基体的扩散等，从而是更优选的，由此完成了本发明。

也就是说，本发明的陶瓷部件包括：

陶瓷基体，其包含氧化镁、规定成分固溶于氧化镁中而成的氧化镁固溶体以及氧化锆中的至少一种，以及

设置在所述陶瓷基体的一部分上的电极，其包含作为电极成分的钌铝合金。

本发明的半导体制造装置用部件具有上述陶瓷部件。

发明效果

本发明的陶瓷部件及半导体制造装置用部件可具有性能得到进一步改进的电极。例如，抑制产生裂纹，进一步降低比电阻值，进一步抑制电极材料向基体的扩散等，从而是更优选的。其原因推测如下。例如，氧化镁和氧化锆在具有较高耐蚀性的同时具有相对较高的熔点（例如1600℃以上），以及相对较高的热膨胀系数（例如10-13ppm/K）。与此相对的，钌铝合金即使被合金化也显示出比Ru相对更高的熔点，比Al相对更高的热膨胀系数，并且其与陶瓷基体之间的反应性较低。更进一步地，通过调整Ru/Al比率，可将热膨胀系数调节到与氧化镁和氧化锆近似的范围内。推定因为该原因，可抑制裂纹的产生，进一步降低比电阻值，进一步抑制电极材料向基体的扩散。

附图说明