[发明专利]陶瓷部件及半导体制造装置用部件

权利要求书

1.一种陶瓷部件，其包括：

陶瓷基体，所述陶瓷基体包含氧化镁、规定成分固溶于氧化镁中而成的氧化镁固溶体以及氧化锆中的至少一种，以及

设置在所述陶瓷基体的一部分上的电极，所述电极包含钌铝合金作为电极成分。

2.如权利要求1所述的陶瓷部件，其特征在于，所述电极还包含Mg、Zr、Y、Ca、Ce、N和O中的一种以上作为所述电极成分。

3.如权利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述电极的原料中，Ru相对于Ru和Al之和的百分比在大于20摩尔％、小于等于95摩尔％的范围内。

4.如权利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述电极以钌铝合金粉末为原料烧结而成。

5.如权利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述电极以钌粉末与铝粉末为原料烧结而成。

6.如权利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述电极的厚度为1μm以上、200μm以下。

7.如权利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基体包含所述氧化镁固溶体，所述氧化镁固溶体以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg(Al)O(N)为主相。

8.如权利要求7所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基体包含所述氧化镁固溶体，所述氧化镁固溶体中的所述Mg(Al)O(N)在使用Cu Kα线时的(111)面、或(200)面、或(220)面的XRD峰各自出现在氧化镁立方晶体的峰与氮化铝立方晶体的峰之间，即在2θ为36.9-39度、42.9-44.8度、62.3-65.2度内。

9.如权利要求7所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基体包含所述氧化镁固溶体，所述氧化镁固溶体中的所述Mg(Al)O(N)的(200)面、或(220)面的XRD峰各自出现在2θ为42.92度以上、62.33度以上。

10.如权利要求7所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基体包含所述氧化镁固溶体，所述氧化镁固溶体中的所述Mg(Al)O(N)的(200)面的XRD峰的积分宽度为0.50度以下。

11.如权利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基体包含所述氧化镁固溶体，其中所述氧化镁固溶体不含AlN结晶相。

12.如权利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基体包含所述氧化镁固溶体，其中所述氧化镁固溶体包含作为副相的Mg-Al氮氧化物相，在使用Cu Kα线时，所述Mg-Al氮氧化物相的XRD峰至少出现在2θ为47-49度内。

13.如权利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基体包含所述氧化镁固溶体，在所述氧化镁固溶体的混合粉末组成中，氧化镁为49质量％以上99质量％以下，氮化铝为0.5质量％以上25质量％以下，以及氧化铝为0.5质量％以上30质量％以下。

14.如权利要求1或2所述的陶瓷部件，其特征在于，所述陶瓷基体包含所述氧化锆，其中所述氧化锆包含稳定剂。

15.如权利要求1所述的陶瓷部件，其特征在于，所述氧化镁固溶体通过将Al、N、Ga、Zr以及Li中的至少一种以上成分固溶于氧化镁中而形成。

16.如权利要求14所述的陶瓷部件，其特征在于，所述氧化锆中包含的所述稳定剂包括氧化钇、氧化钙、氧化镁或氧化铈。

17.如权利要求1所述的陶瓷部件，其特征在于，在所述氧化镁固溶体中，Mg与AL的摩尔比为0.5以上。

18.一种半导体制造装置用部件，其特征在于，所述半导体制造装置用部件具有权利要求1-17中任一项所述的陶瓷部件。