[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置在审
申请号: | 201410106344.0 | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN104064479A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 木下順弘 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/065 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体 装置 方法 | ||
1.一种制造半导体装置的方法,包括以下步骤:
(a)提供布线衬底,该布线衬底包括第一表面、在第一表面上形成的多个接合引线、在第一表面上形成的第一对准标记、与第一表面相对的第二表面、以及在第二表面上形成并且分别与接合引线电气连接的多个连接盘;
(b)在步骤(a)之后,在布线衬底的第一表面之上布置第一半导体芯片,使得第一半导体芯片的第一主表面面对布线衬底的第一表面,第一半导体芯片包括第一主表面、在第一主表面上形成的第一半导体元件、在第一主表面侧上形成并且与第一半导体元件电气连接的多个第一主表面侧焊盘、在第一主表面侧上形成的第二对准标记、分别在第一主表面侧焊盘处形成的多个第一外部端子、与第一主表面相对的第一背面、在第一背面上形成并且与第一主表面侧焊盘电气连接的多个第一背面侧焊盘、以及在第一背面上形成的第三对准标记;
(c)在步骤(b)之后,在第一半导体芯片被布置在布线衬底之上时,在布线衬底和第一半导体芯片之间布置标记位置检测器,并且检测布线衬底的第一对准标记和第一半导体芯片的第二对准标记,并且由此将布线衬底与第一半导体芯片对准;
(d)在步骤(c)之后,将第一半导体芯片安装在布线衬底的第一表面之上,并且将所述多个第一主表面侧焊盘经由所述多个第一外部端子分别与接合引线电气连接;
(e)在步骤(d)之后,将粘合材料布置在第一半导体芯片的第一背面上,使得第一半导体芯片的所述多个第一背面侧焊盘被粘合材料覆盖,并且使得从粘合材料露出第一半导体芯片的第三对准标记;
(f)在步骤(e)之后,将第二半导体芯片布置在第一半导体芯片的第一背面之上,使得第二半导体芯片的第二主表面面对第一半导体芯片的第一背面,第二半导体芯片具有大于第一半导体芯片的平面尺寸的平面尺寸并且包括第二主表面、在第二主表面上形成的第二半导体元件、在第二主表面侧上形成并且与第二半导体元件电气连接的多个第二主表面侧焊盘、在第二主表面侧上形成的第四对准标记、在第二主表面侧焊盘处分别形成的多个第二外部端子、以及与第二主表面相对的第二背面;
(g)在步骤(f)之后,在第二半导体芯片被布置在第一半导体芯片之上时,在第二半导体芯片和第一半导体芯片之间布置标记位置检测器,并且检测第一半导体芯片的第三对准标记和第二半导体芯片的第四对准标记,并且由此将第一半导体芯片与第二半导体芯片对准;以及
(h)在步骤(g)之后,将第二半导体芯片经由粘合材料安装在第一半导体芯片的第一背面之上,并且将所述多个第二主表面侧焊盘经由所述多个第二外部端子分别与第一背面侧焊盘电气连接。
2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法,其中在步骤(g)中,在第一半导体芯片的第一背面上形成的第三对准标记以及在第二半导体芯片的第二主表面侧处形成的第四对准标记被检测。
3.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法,
其中第一半导体芯片的所述多个第一背面侧焊盘位于第一背面的中心部分,
其中第一半导体芯片的第三对准标记被布置在第一背面的周边处,以及
其中第二半导体芯片的第四对准标记被布置在第二主表面的周边处。
4.根据权利要求3所述的制造半导体装置的方法,
其中第一半导体芯片的第三对准标记被布置在第一背面的第一角落和在与第一角落相对位置的第二角落处,第一背面在平面图中具有四边形形状,以及
其中第二半导体芯片的第四对准标记被布置在第二主表面的第三角落和在与第三角落相对位置的第四角落处,第二主表面在平面图中具有四边形形状。
5.根据权利要求4所述的制造半导体装置的方法,
其中第二半导体芯片被设置有第一电路,以及
其中第一半导体芯片被设置有用于控制第一电路的驱动的控制电路。
6.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法,
其中第二半导体芯片被设置有主存储电路,以及
其中第一半导体芯片被设置有用于控制主存储电路的驱动的控制电路、以及用于对关于从第二半导体芯片或外部装置输入和向第二半导体芯片或外部装置输出的信号的数据执行运算处理的运算处理电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造