[发明专利]一种闪存器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410105950.0 申请日: 2014-03-20
公开(公告)号: CN104934429B 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 李敏 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/06;H01L27/11568
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 李仪萍
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪存 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种闪存器件的制备方法,其特征在于,所述闪存器件的制备方法至少包括步骤:

1)提供半导体衬底,在所述半导体衬底上自下而上依次形成第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层以及第二垫氮化层;

2)刻蚀所述第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层、第二垫氮化层及半导体衬底,形成沟槽以在半导体衬底中定义出有源区;

3)于所述沟槽表面生长衬氧化层,并在沟槽中填满绝缘介质材料,所述绝缘介质材料表面与第二垫氮化层表面齐平,从而形成浅沟道隔离结构;

4)去除所述第二垫氮化层、第二垫氧化层,并对所述有源区进行离子注入;

5)去除所述第一垫氮化层、第一垫氧化层,露出所述有源区表面,在有源区表面自下而上依次沉积隧穿氧化层和浮栅,获得的浮栅的宽度与有源区表面宽度相同。

2.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:采用低压化学气相沉积、热氧化或分子束外延制备形成所述第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层及第二垫氮化层。

3.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:所述第一垫氮化层的厚度范围为50~200埃,所述第二垫氮化层的厚度范围为500~2000埃。

4.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:所述第一垫氧化层与第二垫氧化层分别为二氧化硅,所述第一垫氮化层与所述第二垫氮化层分别为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:步骤2)中采用两步刻蚀的方法获得所述沟槽,具体步骤为:首先,在所述第二垫氮化层上旋涂光刻胶,图案化光刻胶层后形成具有开口的掩膜图形,利用掩膜图形作为掩膜在第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层、第二垫氮化层中干法刻蚀出长方形的顶部沟槽;然后再利用干法刻蚀,沿顶部沟槽对所述半导体衬底进行刻蚀,获得倒梯形状的底部沟槽。

6.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:采用热氧化的方法在半导体衬底中的沟槽表面生长衬氧化层,所述衬氧化层为二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:分别采用湿法刻蚀方法去除所述第二垫氮化层、第二垫氧化层、第一垫氮化层、及第一垫氧化层。

8.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:所述步骤4)中对进行离子注入后,还包括对所得到的结构进行湿法清洗和热处理的步骤。

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