[发明专利]一种闪存器件及其制备方法有效
申请号: | 201410105950.0 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN104934429B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 李敏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/06;H01L27/11568 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 闪存 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种闪存器件的制备方法,其特征在于,所述闪存器件的制备方法至少包括步骤:
1)提供半导体衬底,在所述半导体衬底上自下而上依次形成第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层以及第二垫氮化层;
2)刻蚀所述第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层、第二垫氮化层及半导体衬底,形成沟槽以在半导体衬底中定义出有源区;
3)于所述沟槽表面生长衬氧化层,并在沟槽中填满绝缘介质材料,所述绝缘介质材料表面与第二垫氮化层表面齐平,从而形成浅沟道隔离结构;
4)去除所述第二垫氮化层、第二垫氧化层,并对所述有源区进行离子注入;
5)去除所述第一垫氮化层、第一垫氧化层,露出所述有源区表面,在有源区表面自下而上依次沉积隧穿氧化层和浮栅,获得的浮栅的宽度与有源区表面宽度相同。
2.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:采用低压化学气相沉积、热氧化或分子束外延制备形成所述第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层及第二垫氮化层。
3.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:所述第一垫氮化层的厚度范围为50~200埃,所述第二垫氮化层的厚度范围为500~2000埃。
4.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:所述第一垫氧化层与第二垫氧化层分别为二氧化硅,所述第一垫氮化层与所述第二垫氮化层分别为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:步骤2)中采用两步刻蚀的方法获得所述沟槽,具体步骤为:首先,在所述第二垫氮化层上旋涂光刻胶,图案化光刻胶层后形成具有开口的掩膜图形,利用掩膜图形作为掩膜在第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层、第二垫氮化层中干法刻蚀出长方形的顶部沟槽;然后再利用干法刻蚀,沿顶部沟槽对所述半导体衬底进行刻蚀,获得倒梯形状的底部沟槽。
6.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:采用热氧化的方法在半导体衬底中的沟槽表面生长衬氧化层,所述衬氧化层为二氧化硅。
7.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:分别采用湿法刻蚀方法去除所述第二垫氮化层、第二垫氧化层、第一垫氮化层、及第一垫氧化层。
8.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法,其特征在于:所述步骤4)中对进行离子注入后,还包括对所得到的结构进行湿法清洗和热处理的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410105950.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高电子迁移率晶体管温度传感器
- 下一篇:连接器组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的