[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法有效
| 申请号: | 201410079092.7 | 申请日: | 2014-03-05 |
| 公开(公告)号: | CN104218054B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
| 发明(设计)人: | 宋永录 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机发光显示设备 有机发光装置 薄膜晶体管 电极接触 电极 电力线 电极电连接 源/漏电极 浮雕结构 像素电极 发光层 栅电极 中间层 源层 制造 | ||
提供了一种有机发光显示设备,其包括薄膜晶体管(TFT)、有机发光装置、以及相对电极接触单元,其中薄膜晶体管包括有源层、栅电极和源/漏电极,有机发光装置包括连接至TFT的像素电极、包括发光层的中间层、以及相对电极,相对电极接触单元中的相对电极电连接至电力线,其中,电力线的接触相对电极的表面被形成为具有浮雕结构。
相关申请的交叉引用
该申请要求于2013年5月29日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0061255号韩国专利申请的优先权,该专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的一个或多个方面涉及有机发光显示设备,更具体地,涉及面对像素电极的相对电极与电力线接触的区域的结构得到改进的有机发光显示设备。
背景技术
通常,有机发光显示设备包括薄膜晶体管(TFT)和有机发光装置。有机发光显示设备具有以下结构,其中有机发光装置从TFT接收适当的驱动信号并发出光,从而显示期望的图像。
TFT具有有源层、栅电极和源/漏电极叠置在衬底上的结构。因此,当电流通过形成在衬底上的线路被施加到栅电极时,电流经过有源层流经源/漏电极。同时,电流流经连接至源/漏电极的有机发光装置的像素电极。
此外,有机发光装置包括像素电极、面对像素电极的相对电极以及插置于二者之间的发射层。在这种结构中,如果电流如上所述地经由TFT流经像素电极,则在相对电极与像素电极之间形成了适当的电压。因此,从发射层发出光,从而显示图像。
为了如上所述在发射层中形成适当电压,相对电极需要连接至电力线以便维持恒定电压。在这种情况下,连接至电力线的相对电极接触单元会产生热。
换言之,通常连接至相对电极的电力线具有这样的结构,其中叠置有多个线路层,并且多个线路层中的一个线路层连接至相对电极。多个线路层可通过叠置TFT的栅电极或源电极来形成,它们被包含在有机发光显示设备的显示单元中。在有机发光显示设备的显示单元中的像素区上沉积机发光材料的过程中,有机发光材料被沉积在与沉积源隔开一定距离的衬底上。因此,有机发光材料可能会不期望地混合到相对电极接触单元中,相对电极接触单元为有机发光显示设备的非显示区。在这种情况下,沉积在多个电力线上的有机发光材料可能产生热,因而产生产品的瑕疵。
因此,为了实现更稳定的有机发光显示设备,需要防止有机发光材料沉积在相对电极接触单元上的改进的结构。
发明内容
本申请的实施方式的一个或多个方面提供了一种有机发光显示设备,其中,电力线的一个表面被形成为具有浮雕结构,使得即使在有机材料混合到相对电极接触单元中,有机材料沉积在电力线上的区域也为最小。
根据各实施方式的一个方面,提供了一种有机发光显示设备,其包括薄膜晶体管(TFT)、有机发光装置、以及相对电极接触单元,其中薄膜晶体管包括有源层、栅电极和源/漏电极,有机发光装置包括连接至TFT的像素电极、包括发光层的中间层、以及相对电极,相对电极在相对电极接触单元中电连接至电力线,其中,电力线的接触相对电极的表面被形成为具有浮雕结构。
电力线可包括至少一个或多个线路层,至少一个或多个线路层可包括这样的线路层,即该线路层包括与TFT的源电极和漏电极相同的材料并且与TFT的源电极和漏电极处于同一层上。
电力线可包括至少一个或多个线路层,至少一个或多个线路层可包括这样的线路层,即该线路层包括与TFT的栅电极相同的材料并且与TFT的栅电极处于同一层上。
浮雕结构的一个斜边可相对于沉积源形成特定角,沉积源沉积有机发光装置的中间层。
特定角可被确定使得沉积源产生的沉积材料在竖直方向上到达浮雕结构的一个斜边上。
浮雕结构的一个斜边可被形成为垂直于有机发光显示设备的衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410079092.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:片材
- 下一篇:用于主动噪声抑制的耳机及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





